[发明专利]包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备

说明书

提供了包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备。一种用于生成基准电压的设备包括第一非易失性存储器单元，设置有控制栅极晶体管和读取晶体管。控制栅极晶体管包括栅极端子、主体、第一导电端子和第二导电端子。第一导电端子和第二导电端子被连接在一起以形成控制栅极端子。读取晶体管包括被连接到控制栅极晶体管的栅极端子以形成浮置栅极端子的栅极端子、主体、第三导电端子和第四导电端子。该设备还包括第二等效存储器单元。第一非易失性存储器单元的源极端子和第二等效存储器单元的源极端子被连接在一起。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月22日提交的意大利申请No.102015000086807的优先权，该申请通过引用合并于此。

技术领域

本发明的实施例提供了一种包括非易失性存储器单元的用于生成电压基准的设备。

背景技术

电压调节器(VREG)在现代电子装置起着非常重要的作用。几乎所有的系统，不论其类型(模拟、数字或混合)是否所需要电源。

复杂系统的电源电压的规范关于诸如电压的精度水平、电流生成能力、动态响应等的许多因素变得非常严格。这些规范必须由适当的VREG设备来满足。

稳定电压的绝对值主要取决于电压生成器(VREF)的内部基准。目前开发和销售的大多数器件是基于带隙基准(BGR)原理。这种方法目前在大范围的电压调节器中使用。

带隙实现相对简单，实际上可以应用于任何技术，并且电气参数都能够满足大多数的电流要求。

另一方面，如果几个电气参数被推到了极点，则带隙实现可能对于具有特别严格要求的一些应用不再应用令人满意，并且因此不再能够使用。

如今，为了正确操作，所有电子产品都需要至少一个基准电压。基准电压的值可以是标准值或自定义值，并且通常在后一种情况下，这些值可以在生产阶段被定义或以其他方式在产品的使用期间被“编程”和现场选择。

因此，基准电压生成器是存在于所有电路中的基本块，包括完全模拟电路和具有混合信号的电路，如模拟到数字转换器和数字到模拟转换器、DC-DC转换器、调节器、线性低压差(LDO)电压调节器以及电压比较器中的电流基准和比较电压。

新的应用，诸如可穿戴应用，例如智能手表或其他设备，通常需要非常低的功率供应。

如上所述的，最广泛使用和有效的基准生成器之一是所谓的带隙基准。其命名来自下述事实：在输出处供应的电压与所使用的半导体的零度开尔文(通常使用硅，其在室温下具有1.12eV伏特的带隙)的值成正比。

带隙电路所基于的原理，特别是对于液晶振荡器(LCO)，可能没有满足超低功率系统的要求。

具体地，基准电压的值取决于用于获得设备的半导体，而这根据温度显著变化。

在已知解决方案的各种实施例中，基准电压通过将两个电压相加、用相对于彼此的温度系数适当加权来获得。例如，在带隙生成器中，具有负温度系数(CTAT——与绝对温度成互补)的电压通过正向偏置的二极管来获得，而具有正温度系数(PTAT-与绝对温度成比例)的电压从具有不同区域比率的两个二极管之间的电压差获得。

此外，缓冲操作通常有必要用于增加驱动能力或用于获得不同的电压(例如，高于带隙值Vbg的值)，并且高的电阻值(千兆欧数量级)是必要的，以便于获得精确的微调电压(超低电流比例)。

然而，使用超低电流产生了许多缺点，诸如泄漏、难以启动状态、带隙的动态性。

因此，在越来越多的应用中，使用基于(嵌入式或低压差)带隙原理的电压基准无法考虑能耗和面积占用的限制。