[发明专利]AMOLED显示器的制作方法及AMOLED显示器

说明书

技术领域

本申请涉及平板显示技术领域，具体讲，涉及一种AMOLED显示器的制作方法及相应的AMOLED显示器。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)显示器被称为下一代显示技术。与现有的手机、电视、显示器等液晶显示器相比，AMOLED显示器具有更宽的视角、更高的刷新率和更薄的尺寸，其具有自发光、广视角、相应时间短、高发光率、色域广、工作电压低等特点，被认为是最具潜力的显示装置。

像素数目(Pixels Per Inch，简称PPI)是图像分辨率的单位，其表示的是显示器每英寸所拥有的像素(Pixel)数目。因此PPI数值越高，即代表显示屏能够以越高的密度显示图像，拟真度就越高。但在现有材料和工艺设备基础上，制作高PPI的AMOLED显示器限制较大。

发明内容

本申请的首要目的在于提出一种AMOLED显示器的制作方法。

本申请的第二目的在于提出所述方法制备得到的AMOLED显示器。

为了完成本申请的目的，采用的技术方案为：

本申请涉及一种AMOLED显示器的制作方法，所述方法至少包括以下步骤：

步骤一、在第一基板的一侧依次制备相变材料层和发光层后，在第一基板的另一侧覆盖掩膜图形并进行激光处理，得到A部分；

步骤二、在第二基板上依次制作薄膜晶体管、阳极和空穴层，得到B部分；

步骤三、使A部分的发光层和B部分的空穴层贴合；以及

步骤四、除去所述第一基板和所述相变材料层，在原相变材料层的位置依次制备电子层和阴极，封装后得到所述AMOLED显示器，

在步骤一中，对相变材料的要求是在激光照射下内部结构改变，相变材料的本体收缩，以减少发光层内的像素间距和子像素间距，

激光处理至少需要照射像素与像素之间的间隙，以及子像素与子像素之间的间隙。

优选地，所述第一基板为玻璃基板。

优选地，所述激光处理的波长为308nm或355nm，能量密度为10～5000MJ/cm²，频率为10～3000Hz，能量为10～1000毫焦，时间为1～500ns。

优选地，通过真空热蒸镀的方式，采用有机发光材料在所述相变材料层的表面成膜，得到所述发光层。

优选地，在蒸镀发光层时，所述相变材料层不发生变化。

优选地，所述相变材料层中的相变材料为氯化聚乙烯。

优选地，通过溅射或蒸镀工艺将电子层和阴极置于发光层之上。

本申请还涉及所述方法制备得到的AMOLED显示器。

优选地，所述显示器包括第二基板、AMOLED发光区域和封装层，所述AMOLED发光区域设置于第二基板上，封装层设置在AMOLED发光区域的顶部和四周，将AMOLED发光区域封装，所述AMOLED发光区域包括由上到下依次设置的阴极、电子层、发光层、空穴层、阳极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管与所述第二基板贴合。

本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：

通过在AMOLED显示器的制作过程中使用相变材料层，能够在其它材料和步骤不改变的前提下，减小发光层中的像素间距，得到具有高PPI的AMOLED显示器。

附图说明

图1为本申请所述方法制备的AMOLED显示器的结构示意图。

图2为本申请AMOLED显示器中RGB像素排布的示意图。

图3为本申请中A部分的制作过程示意图。

图4为本申请中A部分和B部分结合过程示意图。

图5为本申请中除去第一基板和相变材料层过程示意图。

其中，1为第二基板，2为TFT，3为阳极，4为空穴层，51、52和53为发光层，6为电子层，7为阴极，8为封装层，9为相变材料层，10为第一基板，111、112和113为掩膜，210为像素，211、212和213为子像素，30为A部分，31为B部分。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本申请。应理解，这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。

本申请涉及一种AMOLED显示器的制作方法，所述方法至少包括以下步骤：