[发明专利]AMOLED显示器的制作方法及AMOLED显示器有效
申请号: | 201610863729.0 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106328830B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 丁立薇;朱晖;张小宝;朱涛;习王锋;胡思明 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人: | 王刚,龚敏 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示器 制作方法 | ||
1.一种AMOLED显示器的制作方法,其特征在于,所述方法至少包括以下步骤:
步骤一、在第一基板的一侧依次制备相变材料层和发光层后,在第一基板的另一侧覆盖掩膜图形并进行激光处理,得到A部分;
步骤二、在第二基板上依次制作薄膜晶体管、阳极和空穴层,得到B部分;
步骤三、使A部分的发光层和B部分的空穴层贴合;以及
步骤四、除去所述第一基板和所述相变材料层,在原相变材料层的位置依次制备电子层和阴极,封装后得到所述AMOLED显示器,
在步骤一中,对相变材料的要求是在激光照射下内部结构改变,相变材料的本体收缩,以减少发光层内的像素间距和子像素间距,
激光处理至少需要照射像素与像素之间的间隙,以及子像素与子像素之间的间隙。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一基板为玻璃基板。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光处理的波长为308nm或355nm,能量密度为10~5000MJ/cm2,频率为10~3000Hz,能量为10~1000毫焦,时间为1~500ns。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过真空热蒸镀的方式,采用有机发光材料在所述相变材料层的表面成膜,得到所述发光层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在蒸镀所述发光层时,所述相变材料层不发生变化。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述相变材料层中的相变材料为氯化聚乙烯。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,通过溅射或蒸镀工艺将电子层和阴极置于发光层之上。
8.一种AMOLED显示器,其特征在于,所述AMOLED显示器通过权利要求1至7中任一项所述的方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的AMOLED显示器,其特征在于,所述显示器包括第二基板、AMOLED发光区域和封装层,所述AMOLED发光区域设置于第二基板上,封装层设置在AMOLED发光区域的顶部和四周,将AMOLED发光区域封装,所述AMOLED发光区域包括由上到下依次设置的阴极、电子层、发光层、空穴层、阳极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管与所述第二基板贴合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择