[发明专利]一种金属掩膜版及其制作方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及金属掩膜版制备技术，尤其涉及一种金属掩膜版及其制作方法。

背景技术

有机发光显示装置性能优良，能够自发光无需背光，易于实现柔性显示，且响应时间短，因此备受用户青睐。

有机发光器件的有效制备是实现有机发光显示装置应用的基础，现有技术中实现有机发光器件的制备方法有多种，其中使用较为广泛的一种方法是像素并置法，采用这种方法制作出的有机发光器件显示色彩纯正，且发光效率高。具体的，像素并置法利用金属掩膜版作为镀膜工艺中的掩膜工具来形成像素材料层，因此，金属掩膜版的精度直接影响着形成有机发光器件的性能。

目前常用的金属掩膜版制作方法为湿法刻蚀，湿法刻蚀的侧刻量较大，且开口尺寸较大，因此精度较低。

发明内容

本发明提供一种金属掩膜版及其制作方法，以提高形成金属掩膜版的精度。

第一方面，本发明实施例提供了一种金属掩膜版的制作方法，所述制作方法包括：

提供一金属基板；

在所述金属基板上形成图形化的介质层；

在所述金属基板以及所述介质层上形成掩膜材料层；

去除所述介质层以及所述介质层上的所述掩膜材料层；以及

分离所述金属基板与剩余的所述掩膜材料层,以利用剩余的所述掩膜材料层构成所述金属掩膜版。

第二方面，本发明实施例还提供了一种金属掩膜版，所述金属掩膜版采用本发明任一实施例所述的制作方法形成。

本发明实施例提供的技术方案，通过提供一金属基板，在金属基板上形成图形化的介质层，在金属基板以及介质层上形成掩膜材料层，去除介质层以及介质层上的掩膜材料层，并分离金属基板与剩余的掩膜材料层,以利用剩余的掩膜材料层构成金属掩膜版，省去了现有技术中的湿法刻蚀工艺，避免了湿法刻蚀工艺导致的金属掩膜版精度低的问题，达到了提高金属掩膜版精度的有益效果。

附图说明

为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。

图1a-图1f是现有技术中金属掩膜版的制作方法的示意图；

图2为本发明实施例中提供的一种金属掩膜版的制作方法的流程示意图；

图3-图9是本发明实施例提供的金属掩膜版的制作方法的示意图；

图10是图9中金属掩膜版的俯视示意图；

图11是本发明实施例提供的又一种金属掩膜版的俯视示意图；

图12是形成减重槽后金属掩膜版的俯视示意图；

图13是沿图12中虚线CD的剖面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1a-图1f是现有技术中金属掩膜版的制作方法的示意图。如图1a所示，提供一金属基板101，通过对金属基板101图形化获得金属掩膜版，即金属基板101为金属掩膜版的掩膜材料层。通常为减小待形成金属掩膜版的热膨胀系数，金属基板101采用镍铁合金材料形成。然后在金属基板101的一个表面上形成光刻胶层102，如图1b所示。采用光罩103遮光进行曝光工艺，如图1c所示。利用显影液对光刻胶进行显影，获得图形化的光刻胶层102，使图形化的光刻胶层102对应待形成金属掩膜版开孔之外的区域，如图1d所示。以图形化的光刻胶作为掩膜，采用湿法刻蚀对金属基板101进行处理，如图1e所示。再将金属基板101上的光刻胶去除，进而获得金属掩膜版，如图1f所示。

现有技术中采用湿法刻蚀对金属基板101进行处理，虽然有光刻胶的掩盖，但是由于湿法刻蚀侧刻量较大，形成的开孔尺寸较大，且不易精确控制，因此，一方面被光刻胶覆盖的金属基板101边缘会被刻蚀掉，影响了金属掩膜版的精度，另一方面，湿法刻蚀无法形成小尺寸开孔，使形成金属掩膜版的开孔尺寸较大。

针对上述问题，本发明提供了一种金属掩膜版的制作方法，该方法可获得小尺寸开孔的金属掩膜版，且未使用湿法刻蚀工艺，进而避免了湿法刻蚀工艺导致的金属掩膜版精度低的问题。

基于以上描述，本发明实施例提供了如下的解决方案。