[发明专利]一种金属掩膜版及其制作方法在审
申请号: | 201610855271.4 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN107868932A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 王国兵 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金属 掩膜版 及其 制作方法 | ||
1.一种金属掩膜版的制作方法,其特征在于,包括:
提供一金属基板;
在所述金属基板上形成图形化的介质层;
在所述金属基板以及所述介质层上形成掩膜材料层;
去除所述介质层以及所述介质层上的所述掩膜材料层;以及
分离所述金属基板与剩余的所述掩膜材料层,以利用剩余的所述掩膜材料层构成所述金属掩膜版。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金属掩膜材料层采用镍铁合金形成。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述镍铁合金中镍元素的含量为36%。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述介质层为光刻胶层。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述在所述金属基板上形成图形化的介质层的步骤,包括:
在所述金属基板一表面上形成所述光刻胶层;
依次对所述光刻胶层进行曝光和显影,以获得图形化的所述光刻胶层。
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述去除所述介质层以及所述介质层上的所述掩膜材料层的步骤,包括:
采用剥离液对所述光刻胶层进行处理;
所述光刻胶层上的所述掩膜材料层随所述光刻胶层一同从所述金属基板上脱落。
7.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述光刻胶层采用正性光刻胶形成,或者,所述光刻胶层采用负性光刻胶形成。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,还包括:
在剩余所述掩膜材料层的一表面上形成减重槽,所述减重槽与所述掩膜材料层上去除所述介质层以及所述介质层上的所述掩膜材料层后形成的开孔相互独立。
9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述图像化的介质层包括多个相互独立的介质块,所述多个相互独立的介质块呈阵列排布。
10.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述图像化的介质层包括多个相互独立的介质块,所述多个相互独立的介质块呈多行和多列排布,相邻两行介质块在列方向或行方向上间错设置。
11.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述掩膜材料层采用离子镀膜或物理溅射的方式形成。
12.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述掩膜材料层的厚度为10μm~50μm。
13.一种金属掩膜版,其特征在于,采用权利要求1-12任一项所述的制作方法形成。
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