[发明专利]一种激光器芯片的制作方法

说明书

本发明提供了一种激光器芯片的制作方法。制作方法包括：生长脊波导层、牺牲层；刻蚀牺牲层，形成凸起结构，凸起结构定义出双脊间距；沉积掩膜层；刻蚀掩膜层，使牺牲层的顶端端面露出，保留牺牲层两侧的掩膜层侧墙；使用湿法刻蚀去除凸起结构；定义出双沟槽位置及宽度；刻蚀脊波导层；刻蚀去除掩膜层侧墙，形成双脊双沟槽结构；沉积电极层。在对上述激光器芯片的制作方法制作得到的激光器芯片测试时，能够分别测试两个激光器。在第一次挑选不合格芯片中进行第二次挑选，减少了芯片的报废，提高了芯片成品率，降低了芯片制造成本。

技术领域

本发明涉及半导体光电技术领域，特别是一种激光器芯片的制作方法。

背景技术

分布式反馈激光器即DFB(Distributed Feedback)激光器，与法布里-珀罗式式激光器即FP(Fabry-Perot)激光器的不同之处在于DFB激光器内置布拉格光栅(BraggGrating)，因此DFB激光器的谐振腔具有选择模式的能力。在端面反射为零的理想情况下，折射率耦合DFB激光器在与布拉格波长相对称的位置上存在两个谐振腔损耗相同且最低的模式，即，折射率耦合DFB激光器原理上是双模激射的。但是，目前对于实际的DFB激光器来说，大多DFB激光器为单模模式。

在实际的DFB激光器中，由于光栅两端的端面存在反射的，光栅两端的端面的反射率不为零，并且，光栅两端的端面的反射相位也不确定。由于反射相位具有随机性，导致了单模激光器成品率较低，这一概率大概为20％～50％，从而导致激光器芯片的成品率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种成品率较高的激光器芯片的制作方法。

在晶圆上生长脊波导层；

在脊波导层上生长牺牲层；

刻蚀牺牲层，形成凸起结构，所述凸起结构定义出双脊间距；

沉积掩膜层；

干法刻蚀掩膜层，使牺牲层的顶端端面露出，保留牺牲层两侧的掩膜层形成掩膜层侧墙；

使用湿法刻蚀去除所述凸起结构；

在脊波导层的两端相对形成两个凸台，两个所述凸台定义出双沟槽的宽度；

根据所述掩膜层侧墙及所述凸台，刻蚀脊波导层；

去除掩膜层侧墙及凸台，形成双脊双沟槽结构；

在双脊双沟槽结构上沉积电极层，形成两个激光器。

通过上述激光器芯片的制作方法得到双脊双沟槽结构激光器芯片，在原有的单一激光器芯片中，在不过多地增加芯片面积的前提下，制备出一个备用激光器。即在原有的一颗芯片上制备出一左一右两个激光器。在激光器芯片测试中，分别测试该芯片上的两个激光器，来选择性能更优的一个激光器作为成品。换言之，当在第一次挑选中一个激光器不合格的芯片，可以进行第二次挑选，在第二次挑选中测试另一个激光器的性能。如此，第一次挑选不合格芯片在第二次挑选中仍有50％左右的概率成为合格品可以继续使用。这种方法减少了芯片的报废，提高了芯片成品率，降低了芯片制造成本。

其次，在上述激光器芯片的制作方法中，不需要另外设计专门的光刻版，就可以实现了双脊双沟槽半导体激光器的制作，简化了双脊光刻版设计步骤，节约成本。

附图说明

图1为本实施方式的激光器芯片的制作方法的流程图；

图2为图1中步骤S11所对应的激光器芯片的结构图；

图3为根据图1所示的步骤S12的具体流程图；

图4为图1中步骤S12所对应的激光器芯片的结构图；

图5为图1中步骤S13所对应的激光器芯片的结构图；