[发明专利]一种激光器芯片的制作方法

权利要求书

1.一种激光器芯片的制作方法，包括步骤：

在晶圆上生长脊波导层；

在脊波导层上生长牺牲层；

刻蚀牺牲层，形成凸起结构，所述凸起结构定义出双脊间距；

沉积掩膜层；

干法刻蚀掩膜层，使牺牲层的顶端端面露出，保留牺牲层两侧的掩膜层形成掩膜层侧墙；

使用湿法刻蚀去除所述凸起结构；

在脊波导层的两端相对形成两个凸台，两个所述凸台定义出双沟槽的宽度；

根据所述掩膜层侧墙及所述凸台，刻蚀脊波导层；

去除掩膜层侧墙及凸台，形成双脊双沟槽结构；

在双脊双沟槽结构上沉积电极层，形成两个激光器。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀牺牲层，形成凸起结构，所述凸起结构定义出双脊间距的步骤为：

在牺牲层上涂覆第一光刻胶，根据预设的双脊间距对第一光刻胶曝光显影；

对牺牲层未覆盖第一光刻胶的区域进行去除；

去除剩余的第一光刻胶。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶为负性光刻胶。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在脊波导层的两侧相对形成两个凸台，两个所述凸台定义出双沟槽的宽度的步骤为：

在脊波导层及掩膜层侧墙上涂覆第二光刻胶；

根据预设的双沟槽的宽度对第二光刻胶进行曝光显影，形成两个所述凸台。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，刻蚀脊波导层之后，在所述晶圆上形成两个脊及位于两个脊两侧的平台，每个所述脊与其相邻的所述平台之间形成所述沟槽。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层通过金属有机化合物化学气相沉淀生长。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对掩膜层进行干法刻蚀时，所述掩膜层为氧化物层，刻蚀气体为三氟甲烷与氧气，三氟甲烷与氧气的气体体积比例10:1-40:1。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对掩膜层进行干法刻蚀时，所述掩膜层为无定形碳层，刻蚀气体为溴化氢与氧气，溴化氢与氧气的气体体积比例1:1-30:1。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的刻蚀选择比高于所述脊波导层的刻蚀选择比。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为磷化铟层，所述湿法腐蚀的腐蚀液为盐酸或氢溴酸与磷酸的混合液，且盐酸或氢溴酸与磷酸的体积比为2:1。