[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610848393.0 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN107871710A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 董飏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成应力记忆层；
对所述基底及所述应力记忆层执行退火工艺；
刻蚀去除需要形成金属硅化物区域上的应力记忆层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力记忆层包括依次沉积的氧化物层和氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺包括依次执行的尖峰退火及激光退火。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述尖峰退火用于活化源漏区。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光退火用于应力记记。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述应力记忆层的方法包括：
使用掩膜干法刻蚀去除需要形成金属硅化物区域上的氮化硅层；以及
使用湿法刻蚀去除需要形成金属硅化物区域上的氧化物层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括氢氟酸溶液及SC1溶液。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底包括NMOS器件及PMOS器件。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述PMOS器件的源极及漏极为嵌入式SiGe。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在需要形成金属硅化物的区域上形成金属硅化物的步骤。
11.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用权利要求1-10中任一项所述的方法制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
