[发明专利]微电子的结构元件装置和用于其的制造方法在审
申请号: | 201610843672.8 | 申请日: | 2016-09-23 |
公开(公告)号: | CN106920782A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | F.安特;M.安贝格尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 梁冰,宣力伟 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微电子 结构 元件 装置 用于 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及微电子的结构元件装置和用于相应的微电子的结构元件装置的制造方法。
背景技术
微电子的构件能够例如作为倒装芯片进行安设。这意味着,传感器(例如MEMS)配有焊球并且然后面朝下地钎焊至一个另外的基体。在钎焊至基体、另外的芯片或电路板后,所述结构需要所谓的底部填充,由此传感器和基体的不同的热学的膨胀系数不破坏所述结构并且是为了提高钎焊连接部的稳定性。
随着微电子的结构元件装置的微型化的推进,需要将底部填充受控制地装入和/或布置在传感器和载体之间,从而传感器的气体敏感层或介质通及部不被底部填充所覆盖和/或闭锁。将底部填充受控制地装入为该底部填充所设置的在传感器和载体之间的区域尤其表现为技术上的挑战。
DE 10 2005 038 752 A1说明了一种用于安设半导体芯片的方法。
DE 10 2006 010 511 A1说明了一种半导体装置。
US 2008 315 410 Al说明了一种微电子的基体和一种微电子的包。
US 2006 148 136 Al说明了一种结构化的等离子方法。
US 2011 084 388 Al说明了一种电子装置和一种用于制造该电子装置的方法。
发明内容
本发明建立了带有根据本发明的特征的微电子的结构元件装置和用于微电子的结构元件装置的相应的制造方法。
优选的改型方案是相应的优选实施例和其它实施例的内容。
发明优势
本发明实现的是,把使得机械稳定的材料(也称为底部填充或底部填充材料)借助毛细力装入在传感器和载体之间的预先确定的区域中,其中尤其,传感器的侦测面保持没有所述使得机械稳定的材料并且能够保证传感器(例如气体敏感的侦测面)的功能。
这利用包括传感器的微电子的结构元件装置实现,其中,所述传感器具有至少一个侦测面和至少一个带有彼此处于第一间距中的接触元件的区域。此外,所述微电子的结构元件装置包括带有安装面的载体。所述传感器借助至少局部地彼此处于第一间距中的接触元件紧固在载体上,并且所述侦测面具有相对于所述安装面的第二间距地对置于所述安装面。在此,接触元件通过使得机械稳定的材料润湿,并且所述至少一个区域通过所述使得机械稳定的材料包封并且所述侦测面没有所述使得机械稳定的材料。
所述使得机械稳定的材料在下文中被称为底部填充地能够分别按照微电子的结构元件装置的应用而包括弹性的和/或耐温的塑料。所述底部填充在钎焊后例如通过分配或喷射而安设在传感器旁边,其中,通过所述毛细力使得所述底部填充被拉入到彼此处于第一间距中的接触元件的区域中。换而言之由此阻碍的是,所述底部填充完全地填充在传感器和载体之间的缝隙并且从外部不再能够通及所述侦测面。此外,在传感器或载体上不需要额外的结构,该结构遏制或减缓所述底部填充的流动。这一点导致显著的材料节省和时间节省,从而尤其相对于传统的解决方案降低了成本。
虽然这里所描述的用于微电子的结构元件装置的制造方法借助一个传感器和一个载体来说明,但本身显然的是,这里所说明的制造方法也能够用于制造包括多个传感器的微电子的结构元件装置,该传感器布置在一个载体上。
按照一个优选的改型方案,在侦测面和安装面之间存在至少一个向着侦测面的通及部,其中,所述通及部由于所述毛细力而没有所述使得机械稳定的材料。从而能够提供能够简单地制造的介质通及部。
按照另一个优选的改型方案,在接触元件之间的第一间距具有这样的值,该值小于等于在侦测面和安装面之间的第二间距。从而尤其高效地能够造成底部填充本身的表面应力和在底部填充和接触元件之间的界面应力。
按照另一个优选的改型方案,所述第一间距的值计为10微米和30微米之间并且所述第二间距的值计为30微米和100微米之间。在这些值的情况中尤其确定的是,能够尤其高地施展所述毛细力,从而侦测面和/或所述通及部不被底部填充覆盖。
按照另一个优选的改型方案,第三间距将至少两个包括接触元件的区域彼此置于间隔中,其中,所述第三间距具有至少100微米的值。换而言之,所述通及部具有宽度,其中,该通及部的宽度能够包括100微米的值。第三间距在此横向于、尤其垂直于微电子的结构元件装置的第二间距地走向。从而能够以简单的方式和方法额外地阻碍在带有接触元件的区域之间的底部填充的汇流。
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