[发明专利]重复使用于制造发光元件的基板的方法有效
| 申请号: | 201610837488.2 | 申请日: | 2016-09-21 |
| 公开(公告)号: | CN106972082B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
| 发明(设计)人: | 李世昌;李荣仁;陈孟扬 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 重复使用 制造 发光 元件 方法 | ||
本发明公开一种重复使用于制造发光元件的基板的方法,其包含步骤︰(a)提供一基板;(b)形成一成核层于基板上;(c)形成一半导体叠层于成核层上;以及(d)分离半导体叠层与成核层以裸露成核层,其中在步骤(c)之前,还包含形成一牺牲层于成核层上。
技术领域
本发明涉及一种发光元件的制造方法,尤其是涉及一种使用可再度使用的基板制造发光元件的方法。
背景技术
发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯,发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点,因此发光二极管已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
发明内容
本发明提供一种重复使用于制造发光元件的基板的方法,其包含步骤︰(a)提供一基板;(b)形成一成核层于基板上;(c)形成一半导体叠层于成核层上;以及(d)分离半导体叠层与成核层以裸露成核层,其中在步骤(c)之前,还包含形成一牺牲层于成核层上。
附图说明
图1为本发明的制造发光元件的流程示意图;
图2为本发明的半导体叠层的剖视图;
图3为图1的子流程S的流程示意图;
图4为本发明的一实施例的发光元件的剖视图;
图5为本发明的另一实施例的制造发光元件的流程示意图。
符号说明
10:成长基板 101:上表面
20:成核层 201:顶表面
30:牺牲层 40:半导体叠层
200:反射系统 50:支撑基板
60:连接层 70:第一中间结构
80:第二中间结构 400:发光叠层
401:第一限制层 402:第二限制层
403:活性层 404:蚀刻停止层
405:缓冲层 406:第一接触层
407:第二接触层 408:第一窗户层
409:第二窗户层 90:第一电极
410:切割道 100:第二电极
110:导电反射镜 120:电流扩散层
130:透明导电层 140:绝缘层
150:钝化层 160:保护层
具体实施方式
以下实施例将伴随着附图说明本发明的概念,在附图或说明中,相似或相同的部分是使用相同的标号,并且在附图中,元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是,图中未绘示或说明书未描述的元件,可以是熟习此技术的人士所知的形式。
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