[发明专利]重复使用于制造发光元件的基板的方法

权利要求书

1.一种重复使用于制造发光元件的基板的方法，其包含步骤︰

(a)提供一基板；

(b)形成一成核层于该基板上；

(c)形成一牺牲层于该成核层上；

(d)形成一半导体叠层于该成核层上；以及

(e)分离该半导体叠层与该成核层，直接裸露该成核层的一顶表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中该步驟(e)是通过移除该牺牲层。

3.如权利要求1所述的方法，在该步骤(e)之后，还包含处理该成核层的该顶表面。

4.如权利要求1所述的方法，在该步骤(e)之后，还包含形成一保护层于该成核层之上。

5.如权利要求4所述的方法，其中该保护层或该牺牲层包含三族砷化物。

6.如权利要求4所述的方法，还包含移除该保护层以裸露该成核层的该顶表面。

7.如权利要求6所述的方法，在移除该保护层之后，还包含处理该成核层裸露的该顶表面。

8.如权利要求1所述的方法，其还包含重复该步骤(c)至(e)。

9.如权利要求1所述的方法，其中该成核层具有一厚度，该厚度介于3纳米至1500纳米之间。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体叠层包含一接触层具有高于1×10¹⁸/cm³的掺杂浓度。

11.如权利要求1所述的方法，其中该牺牲层包含Al_xGa_1-xAs，其中0≤x≤1。

12.如权利要求1所述的方法，其中该成核层包含(Al_yGa_(1-y))_1-xIn_xP，其中0≤x≤1以及0≤y≤1。

13.如权利要求12所述的方法，其中0.4≤x≤0.6以及0≤y≤0.6。

14.如权利要求1所述的方法，其中该牺牲层有一厚度，该厚度介于10纳米至1000纳米之间。

15.如权利要求4所述的方法，其中该保护层包含多层。

16.如权利要求6所述的方法，其中移除该保护层是通过一蚀刻液，该蚀刻液包含柠檬酸(citric acid)以及双氧水(H₂O₂)的混和溶液或是包含双氧水(H₂O₂)以及氨水(NH₄OH)的混合溶液。

17.如权利要求1所述的方法，另包含形成一反射系统于半导体叠层上。

18.如权利要求17所述的方法，另包含将一支撑基板接合于该反射系统上。

19.如权利要求18所述的方法，另包含通过一连接层连接该支撑基板至该反射系统。

20.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体叠层发出一具有主波长的辐射，该主波长介于550nm(含)至680nm(含)之间。

21.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体叠层另包含一蚀刻停止层，具有不同于该牺牲层的材料的组成或组成比例。