[发明专利]阳极氧化膜结构切割方法及单元阳极氧化膜结构

说明书

本发明提供了一种阳极氧化膜结构切割方法。所述方法包括：通过沿预定切割线蚀刻具有多个阳极氧化孔隙的阳极氧化膜的一个表面而形成蚀刻的凹槽并且通过加大位于蚀刻的凹槽的内底面上的阳极氧化孔隙的入口而形成直径增加的孔隙的蚀刻步骤；以及沿蚀刻的凹槽切割阳极氧化膜的切割步骤。还提供了一种通过所述切割方法产生的单元阳极氧化膜结构。

技术领域

本发明涉及阳极氧化膜结构切割方法及单元阳极氧化膜结构。

背景技术

一般而言，单元主体以矩形矩阵的形状形成。为了利用单元主体的目的，通过切割装置将单元主体切片并且单个地分离。在半导体制造过程中使用的切片装置通过将晶片或半导体条固定到预先形成的夹具并且然后在注射冷却水的同时高速旋转切片刀片而执行切片工作。

然而，如果将切片装置直接施加到微级别的结构上，则面临这样的问题：由于用于耗散在切片过程中生成的热的冷却水的压力和在高速旋转的切片刀片周围存在的空气的压力，难以高效地将晶片或半导体条切片成单元主体。

韩国专利申请公开No.2006-0006283公开了一种制造半导体或显示器制造装置的铝元件或铝合金元件的方法，铝元件或铝合金元件上涂覆有阳极氧化膜。在上述公开文本中公开的技术中，铝合金元件被预先切割成预定尺寸并且使其表面经受阳极氧化过程。这样，所述技术不适合用于使用阳极氧化层作为基底、在基底的上表面上形成电极并且然后将基底切片成单元主体的过程。

如果使金属基础材料经受阳极氧化过程，则可以形成阳极氧化膜，该阳极氧化膜包括具有形成在其表面上的多个孔隙的多孔层和存在于多孔层下面的阻挡层。存在电极被形成在作为基底的阳极氧化膜的表面上的结构。然而，未知将该结构切片成单元主体的方法。因此，难以高效地将所述结构切片成单元主体。

发明内容

鉴于上面提及的问题，本发明的目的是提供一种阳极氧化膜结构切割方法及单元阳极氧化膜结构，所述方法在切割阳极氧化膜结构将不太可能产生裂缝并且产率优越。

为了实现上面的目的，提供了一种阳极氧化膜结构切割方法，包括：通过沿预定切割线蚀刻具有多个阳极氧化孔隙的阳极氧化膜的一个表面而形成蚀刻的凹槽并且通过加大位于蚀刻的凹槽的内底面上的阳极氧化孔隙的入口而形成直径增加的孔隙的蚀刻步骤；以及沿蚀刻的凹槽切割阳极氧化膜的切割步骤。

直径增加的孔隙中的至少一些可以彼此连接以形成空间。

在切割步骤，可以通过切片刀片来切割阳极氧化膜。

在切割步骤，可以通过按压阳极氧化膜的另一表面来使阳极氧化膜断裂。

还提供了具有多个阳极氧化孔隙的单元阳极氧化膜结构，包括：主体部分；以及阶梯部分，该阶梯部分具有相对于主体部分的上表面的阶梯差并且从主体部分向外延伸，其中形成在阶梯部分的上表面上的阳极氧化孔隙的入口的直径大于形成在主体部分的上表面上的阳极氧化孔隙的入口的直径。

形成在阶梯部分的上表面上的阳极氧化孔隙的入口中的至少一些可以彼此连接以形成空间。

电极可以形成在主体部分的上表面上。

电极可以是加热器电极、传感器电极或加热器电极和传感器电极二者。

根据本发明，可以取得下列效果。能够以阳极氧化膜受到减小的张力的方式来切割阳极氧化膜结构。这样，本发明的切割方法将不太可能产生裂缝并且产率优越。相应地，即使是在需要切片过程的时候也能够高效地利用阳极氧化膜结构。另外，单元阳极氧化膜结构在结构稳定上优越。

附图说明

图1是示意了在阳极氧化膜结构的切割过程中在阳极氧化膜结构中产生裂缝的状态的照片。

图2是示意了电极形成在阳极氧化膜结构的上表面上的状态的平面图。