[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

说明书

本发明涉及光电子器件和用于制造光电子器件的方法。该光电子器件(100)具有：衬底(102)，在所述衬底(102)上设置的半导体芯片(104)，设置在所述衬底(102)上的能润湿的吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，和具有颜料(110)的介质(108)，其中所述介质至少局部覆盖所述衬底(102)的空出的区域，所述空出的区域没有被所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)所遮盖，所述介质至少部分地润湿所述半导体芯片(104)和所述吸引子元件(106a，106b，106c，106d)，并且所述吸引子元件具有限界元件和内部结构。

本发明申请是于申请日为2012年6月27日提交的、申请号为201280036001.0(国际申请号为PCT/EP2012/062465)以及发明名称为“光电子器件和用于制造光电子器件的方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造这种器件的方法。

背景技术

光电子器件具有可发射电磁辐射的半导体芯片。半导体芯片可以设置在吸收光的衬底上。为了改进或者改变衬底的反射特性，可以用引入有颜料的介质覆盖衬底的空出的区域。半导体芯片可以通过具有颜料的介质来润湿。特别地，可以润湿半导体芯片的侧面。在润湿时，半导体芯片的侧面由于表面张力而将介质上拉。这会引起介质在衬底上不均匀的层厚度，其中介质的厚度随着距半导体芯片的间距上升而下降。介质的小厚度会是不利的，因为随着用颜料填充的介质的厚度下降使光电子器件的反射特性变差并且进而使光电子器件的效率变差。

发明内容

本发明的目的是，提出一种光电子器件以及一种用于制造这种光电子器件的方法，其提供在衬底上有足够厚度的以颜料填充的介质，使得光电子器件的反射特性并且进而光电子器件的效率具有足够的品质。

所述目的通过根据本发明的实施例所述的光电子器件和通过根据本发明的实施例所述的用于制造这种光电子器件的方法来实现。

光电子器件的和用于制造光电子器件的方法的有利的设计方案和改进方案在如下描述中予以说明。

不同的实施形式具有带有半导体芯片的光电子器件，所述半导体芯 片设置在衬底上。在衬底上设置有可润湿的吸引子元件。具有颜料的介质至少局部覆盖衬底的空出的区域，所述空出的区域没有被半导体芯片和吸引子元件所遮盖。介质至少部分润湿半导体芯片和吸引子元件。介质在衬底上的厚度通过使用吸引子元件来增大。由此，相对于没有吸引子元件的实施形式改善该光电子器件的反射特性。因此，提高光电子器件的效率。换言之，降低衬底对光电子器件的光学特性的负面影响。

可以使用陶瓷衬底、金属芯电路板、引线框或塑料叠层作为衬底。塑料叠层由具有金属化部的玻璃纤维强化的塑料构成。上述全部衬底类型至少部分吸收光。

半导体芯片可以如吸引子元件那样通过具有颜料的介质来润湿。通过液态介质的表面张力将介质在半导体芯片的侧面上上拉。半导体芯片的背离衬底的、吸收光的表面在此不允许被介质润湿。

在一种优选的实施形式中，半导体芯片基于III-V族化合物半导体材料、尤其基于氮化镓(GaN)。半导体芯片具有发射电磁辐射的至少一个有源区。有源区可以是pn结、双异质结、多量子阱结构(MQW)、单量子阱结构(SQW)。量子阱结构指的是：量子阱(三维)、量子线(二维)和量子点(一维)。

在一种优选的实施形式中，半导体芯片构成为表面发射体、尤其构成为所谓的薄膜芯片。薄膜芯片例如从公开文献WO2005081319A1中已知。

在一种优选的实施形式中，介质具有硅树脂。硅树脂具有低表面张力。因此，硅树脂具有良好的可润湿性。硅树脂是透明的、辐射稳定的和热稳定的。尤其优选的是，化合物材料具有软的硅树脂。软的硅树脂具有大致邵氏硬度20至大致邵氏硬度60的硬度。软的硅树脂具有高的热稳定性、高的辐射稳定性和高的断裂伸长率，由此使硅树脂中形成断裂的风险最小化。