[发明专利]一种梯度直孔双层非对称陶瓷氧分离膜的成型方法在审
| 申请号: | 201610830803.9 | 申请日: | 2016-09-19 |
| 公开(公告)号: | CN106631044A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
| 发明(设计)人: | 王瑶;刘通 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
| 主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/634;C04B35/636;C04B41/87 |
| 代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人: | 汪俊锋 |
| 地址: | 430072 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 梯度 双层 对称 陶瓷 分离 成型 方法 | ||
技术领域
本发明涉及气体分离膜领域,尤其涉及一种梯度直孔非对称陶瓷氧分离膜的成型方法。
背景技术
氧气是重要的化工原料,在化石能源加工和转化、金属制品加工成型等过程中需要消耗大量氧气。传统的低温分馏技术和变压吸附技术由于具有初始投资巨大、设备复杂且能耗较高等缺点,制约了上述制氧技术的大规模普及。陶瓷氧分离膜制氧技术相对于传统的制氧工艺有望降低30%以上的系统能耗,受到了越来越多的关注,并取得了重大进展。
陶瓷氧分离膜氧渗透过程主要受到表面氧交换过程、体扩散过程和气体扩散过程的影响。只有合理研究、设计并制备陶瓷氧分离膜的结构与构型才能显著提高陶瓷氧分离膜的氧渗透性能和系统的综合效益。
当氧渗透过程受到体扩散过程控制时,降低膜厚可以显著提高其氧渗透速率,当膜较薄时,引入同质支撑体来提高膜的机械强度和抗冲击性;但当膜厚降低到临界厚度时,进一步降低膜厚对其氧渗透性能影响较小,此时可以通过表面修饰氧交换过程催化剂进一步提高其氧渗透性能。同时,采用传统干压法、流延法等方法制备的非对称陶瓷氧分离膜支撑体存在曲折因子高、孔隙率低等缺点,降低了气体在支撑体内的传输速度,在工作条件下极易面临严重的浓差极化问题,制约其氧渗透性能。因此,优化陶瓷氧分离膜结构进而提高陶瓷氧分离膜性能是一个值得探索的课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提出了一种梯度直孔双层非对称陶瓷氧分离膜的成型方法。本发明在传统流延成型工艺的基础上增加了冷冻成冰晶、真空升华除冰晶成孔工艺,获得了具有梯度直孔结构的陶瓷膜支撑体,结合致密膜薄层成型技术制备梯度直孔双层结构非对称陶瓷氧分离膜。
本发明提出了一种梯度直孔双层结构非对称陶瓷氧分离膜的成型方法,具体步骤如下:
(1) 以聚丙烯酸铵为分散剂、聚丙烯为粘结剂和多糖为浆料增稠剂,将其溶解于去离子水中形成水基溶液;将陶瓷粉体加入水基溶液,球磨混合均匀得到稳定的水基陶瓷浆料;所述水基陶瓷浆料中,按质量计,所述陶瓷粉体占30~85%,所述去离子水占10~65%,所述聚丙烯酸铵占0.2~5%,所述聚丙烯占1~5%,所述多糖占0.1~2%;
(2) 利用真空泵对水基陶瓷浆料进行真空脱气去除球磨混合过程中引入的气泡;在流延涂覆机上铺上高分子膜带,拉动高分子膜带带动浆料前进实现流延过程,调节刮涂机刮刀高度控制成膜厚度;
(3) 将流延成型的胚体转移到冷冻床上实现浆料固化成膜;
(4) 将固化后的陶瓷膜带胚体转移到真空釜中,在低温和真空条件下通过固态冰晶直接升华为水蒸气实现干燥、成孔;
(5) 待陶瓷膜带胚体充分干燥后,将其从真空釜中取出,将陶瓷膜胚体切成特定尺寸,然后转移到高温炉中预烧结制成梯度直孔支撑体;
(6) 利用致密膜薄层成型技术将功能层涂覆到梯度直孔支撑体上,高温共烧结制备梯度直孔双层结构非对称陶瓷氧分离膜。
优选的,所述的陶瓷粉体(活性物质)可以是所有不与水发生反应的陶瓷氧分离膜材料,如单相材料Ln1-xAxM1-yByO3-δ (LAMBO,其中Ln为镧系元素La、Pr、Sm、Ce等,A为碱土金属元素Sr、Ba、Ca、Mg等,M和B为过渡金属元素Co、Fe、Mn、Ni、Cu等)、双相复合材料(由氧离子导体和电子导体或混合导体LAMBO组成)。
优选的,所述陶瓷粉体的平均粒径为0.05~10 微米。
优选的,所述的分散剂可以为所有铵盐分散剂。
优选的,所述的粘结剂可以为所有水溶性粘结剂,如聚丙烯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮等。
优选的,所述的增稠剂(浆料稳定剂)可以为所有水溶性多糖类有机物。
优选的,所述的冷冻床温度为零下70~零度。
优选的,所述的真空釜的温度为零下70~零度,所述真空釜的压力为50~1000 Pa。
优选的,所述的致密膜薄层成型技术包括但不限于浸渍涂覆技术、丝网印刷技术、化学气相沉积技术、物理气相沉积技术、原子层沉积技术、电化学沉积技术等。
优选的,步骤(5)中所述的预烧结温度为700~1200 ℃,时间为0.5~10h。
优选的,步骤(6)中所述的高温共烧结温度为1200~1700 ℃,时间为2~20h。
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