[发明专利]半导体装置的制造方法及衬底处理装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在形成有第一层间绝缘膜和布线层的衬底中，接收所述布线层的膜厚信息的工序，其中，所述布线层形成在所述第一层间绝缘膜上，具有埋入有用作布线的多个含铜膜的槽、和设置在所述槽之间且将所述含铜膜之间绝缘的布线间绝缘膜；

将所述衬底载置在设置于处理室的内侧的衬底载置部的工序；

基于与所述布线层的膜厚信息相应的蚀刻控制值，通过蚀刻气体将所述布线层蚀刻的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述蚀刻控制值为蚀刻时间，所述蚀刻时间设定为蚀刻至比所述槽的底位置更深的位置。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为所述布线间绝缘膜的膜厚信息。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述膜厚信息为所述衬底的中央面和外周面的膜厚分布信息，

在所述蚀刻的工序中，

当所述膜厚分布信息表现出所述中央面比所述外周面厚时，使所述中央面处的所述衬底的单位面积的所述蚀刻气体的暴露量比所述外周面处的所述衬底的单位面积的所述蚀刻气体的暴露量多，

当所述膜厚分布信息为表现出所述外周面比所述中央面大的信息时，使所述外周面处的所述衬底的单位面积的所述蚀刻气体的暴露量比所述中央面处的所述衬底的单位面积的所述蚀刻气体的暴露量多。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述膜厚信息为所述衬底的中央面和外周面的膜厚分布信息，

在所述蚀刻的工序中，

当所述膜厚分布信息表现出所述中央面比所述外周面厚时，使向所述中央面供给的所述蚀刻气体的量比向所述外周面供给的所述蚀刻气体的量多，

当所述膜厚分布信息表现出所述外周面比所述中央面大的信息时，使向所述外周面供给的所述蚀刻气体的量比向所述中央面供给的所述蚀刻气体的量多。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述膜厚信息为所述衬底的中央面和其外周面的膜厚分布信息，

在所述蚀刻的工序中，

当所述膜厚分布信息表现出所述中央面比所述外周面厚时，使向所述中央面供给的所述蚀刻气体的浓度比向所述外周面供给的所述蚀刻气体的浓度高，

当所述膜厚分布信息表现出所述外周面的膜厚比所述中央面大时，使向所述外周面供给的所述蚀刻气体的浓度比向所述中央面供给的所述蚀刻气体的浓度高。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，控制所述蚀刻气体的浓度时，控制向所述蚀刻气体添加的非活性气体的供给量。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其中，所述布线层的膜厚信息为将所述含铜膜研磨之后的所述布线层的膜厚信息。

14.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述膜厚信息为所述衬底的中央面和其外周面的膜厚分布信息，

在所述蚀刻的工序中，

当所述膜厚分布信息表现出所述中央面比所述外周面厚时，使向所述中央面供给的所述蚀刻气体的等离子体密度比向所述外周面供给的所述蚀刻气体的等离子体密度高，

当所述膜厚分布信息表现出所述外周面比所述中央面大时，使向所述外周面供给的所述蚀刻气体的等离子体密度比向所述中央面供给的所述蚀刻气体的等离子体密度高。