[发明专利]产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件

说明书

一种电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号来向非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个通过具有约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月12日提交的第10-2016-0016571号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用其整体合并于此。

技术领域

本公开各实施例总体而言涉及产生用于半导体器件的存储单元的电压的电压供应器件，更具体地，涉及产生用于非易失性存储单元的电压的电压供应器件。

背景技术

半导体器件可以从外部设备接收电源电压来操作。由该外部设备提供的电源电压通常具有恒定的电平。一般地，在半导体器件的操作中会使用具有不同电平的各种电压。例如，在非易失性存储(NVM)器件的非易失性存储(NVM)单元的操作中会用到具有不同电压水平的至少读取电压、擦除电压和编程电压(也称作写入电压)。因此，一般需要使用电压供应器件给NVM单元供应各种不同的电压来操作这些NVM单元。

发明内容

各实施例涉及一种产生用于操作非易失性存储单元的多个电压的改善的电压供应器件。

根据一实施例，电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号以为非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个使用具有从约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。

附图说明

根据附图和所附详细描述，本发明的各实施例将变得更加明显，其中：

图1是示出产生施加给非易失性存储单元的电压的常规电压供应器件的框图。

图2是在图1中的电压供应器件中所包括的电平移位器的电路图。

图3是在图1中的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。

图4是示出根据本发明一实施例的电压供应器件的框图。

图5是示出根据本发明一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的偏压发生器的电路图。

图6是示出根据本发明一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的控制信号发生器的框图。

图7是示出根据本发明一实施例的图6中的控制信号发生器中所包括的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的逻辑电路图。

图8和图9是示出根据本发明一实施例的在图7中示出的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的操作的电路图。

图10是示出根据本发明的一实施例的图6的第二控制信号发生器的示例配置的逻辑电路图。

图11和图12是示出根据本发明一实施例的图10中示出的第二控制信号发生器的操作的电路图。

图13是示出根据本发明的一实施例的图6的控制信号发生器中所包括的第三控制信号发生器的逻辑电路图。

图14和图15是示出根据本发明一实施例的图13示出中的第三控制信号发生器的操作的电路图。

图16是示出根据本发明一实施例的图4的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。