[发明专利]产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件有效

专利信息
申请号: 201610815694.3 申请日: 2016-09-09
公开(公告)号: CN107086045B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 郑会三 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/30
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 李少丹;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 产生 施加 非易失性 存储 单元 电压 供应 器件
【说明书】:

一种电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号来向非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个通过具有约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月12日提交的第10-2016-0016571号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请通过引用其整体合并于此。

技术领域

本公开各实施例总体而言涉及产生用于半导体器件的存储单元的电压的电压供应器件,更具体地,涉及产生用于非易失性存储单元的电压的电压供应器件。

背景技术

半导体器件可以从外部设备接收电源电压来操作。由该外部设备提供的电源电压通常具有恒定的电平。一般地,在半导体器件的操作中会使用具有不同电平的各种电压。例如,在非易失性存储(NVM)器件的非易失性存储(NVM)单元的操作中会用到具有不同电压水平的至少读取电压、擦除电压和编程电压(也称作写入电压)。因此,一般需要使用电压供应器件给NVM单元供应各种不同的电压来操作这些NVM单元。

发明内容

各实施例涉及一种产生用于操作非易失性存储单元的多个电压的改善的电压供应器件。

根据一实施例,电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号以为非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个使用具有从约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。

附图说明

根据附图和所附详细描述,本发明的各实施例将变得更加明显,其中:

图1是示出产生施加给非易失性存储单元的电压的常规电压供应器件的框图。

图2是在图1中的电压供应器件中所包括的电平移位器的电路图。

图3是在图1中的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。

图4是示出根据本发明一实施例的电压供应器件的框图。

图5是示出根据本发明一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的偏压发生器的电路图。

图6是示出根据本发明一实施例的图4中的电压供应器件中所包括的控制信号发生器的框图。

图7是示出根据本发明一实施例的图6中的控制信号发生器中所包括的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的逻辑电路图。

图8和图9是示出根据本发明一实施例的在图7中示出的第一控制信号发生器和第六控制信号发生器的操作的电路图。

图10是示出根据本发明的一实施例的图6的第二控制信号发生器的示例配置的逻辑电路图。

图11和图12是示出根据本发明一实施例的图10中示出的第二控制信号发生器的操作的电路图。

图13是示出根据本发明的一实施例的图6的控制信号发生器中所包括的第三控制信号发生器的逻辑电路图。

图14和图15是示出根据本发明一实施例的图13示出中的第三控制信号发生器的操作的电路图。

图16是示出根据本发明一实施例的图4的电压供应器件中所包括的单元切换电路的电路图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610815694.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top