[发明专利]产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件有效
申请号: | 201610815694.3 | 申请日: | 2016-09-09 |
公开(公告)号: | CN107086045B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 郑会三 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14;G11C16/30 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 产生 施加 非易失性 存储 单元 电压 供应 器件 | ||
1.一种电压供应器件,其包括:
偏压发生器,所述偏压发生器适用于将第一电源电压分压以输出多个分电源电压;
控制信号发生器,所述控制信号发生器适用于接收所述多个分电源电压以产生多个控制信号;以及
单元切换电路,所述单元切换电路适用于接收所述多个控制信号来为非易失性存储单元提供接地电压、所述第一电源电压以及与所述第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个,
其中,所述偏压发生器、所述控制信号发生器和所述单元切换电路中的每一个通过中压MOS晶体管来实施,所述中压MOS晶体管具有7伏特至15伏特的击穿电压。
2.根据权利要求1所述的电压供应器件,其中,所述偏压发生器包括:
第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管耦接至接地电压;以及
多个电阻器,所述多个电阻器串联耦接在所述第一NMOS晶体管与所述第一电源电压之间。
3.根据权利要求2所述的电压供应器件,
其中,所述多个电阻器具有相同的电阻值,以及
其中,所述多个分电源电压分别通过在所述多个电阻器之间耦接的输出节点来输出。
4.根据权利要求2所述的电压供应器件,其中,所述第一NMOS晶体管的源极和块体彼此耦接。
5.根据权利要求2所述的电压供应器件,
其中,所述多个电阻器的数目是六,
其中,所述多个电阻器具有相同的电阻值,以及
其中,所述多个分电源电压包括为所述第一电源电压的六分之五的第一分电源电压、为所述第一电源电压的三分之二的第二分电源电压、为所述第一电源电压的一半的第三分电源电压、为所述第一电源电压的三分之一的第四分电源电压、以及为所述第一电源电压的六分之一的第五分电源电压。
6.根据权利要求5所述的电压供应器件,其中,所述控制信号发生器包括:
第一和第六控制信号发生器,所述第一和第六控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第一使能信号、所述第一电源电压以及所述第一分电源电压至第五分电源电压,以输出在所述多个控制信号中的第一控制信号和第六控制信号;
第二控制信号发生器,所述第二控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第二使能信号、所述第三分电源电压以及所述第五分电源电压,以输出在所述多个控制信号中的第二控制信号;以及
第三控制信号发生器,所述第三控制信号发生器适用于接收所述接地电压、第三使能信号、所述第三分电源电压以及所述第五分电源电压,以输出在所述多个控制信号中的第三控制信号。
7.根据权利要求6所述的电压供应器件,其中,所述控制信号发生器输出所述第三分电源电压作为在所述多个控制信号中的第五控制信号,以及输出所述第三使能信号作为在所述多个控制信号中的第四控制信号。
8.根据权利要求6所述的电压供应器件,其中,所述第一使能信号和所述第三使能信号具有与所述第四分电源电压相同的电压水平。
9.根据权利要求8所述的电压供应器件,其中,所述第一和第六控制信号发生器包括:
第一反相器,所述第一反相器适用于接收所述第一使能信号或所述接地电压;
第二反相器,所述第二反相器具有与所述第一反相器的输出节点耦接的输入节点;
第三反相器,所述第三反相器具有与所述第二反相器的输出节点耦接的输入节点;
第四反相器,所述第四反相器具有与所述第三反相器的输出节点耦接的输入节点;以及
第五反相器,所述第五反相器具有与所述第四反相器的输出节点耦接的输入节点;
其中,所述第一控制信号和第六控制信号分别通过所述第五反相器的输出节点和所述第三反相器的输出节点来输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610815694.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。