[发明专利]半导体器件

说明书

本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；第一沟槽，与第一侧表面接触；第二沟槽，与第二侧表面接触；第一衬层，共形地形成在第一沟槽的侧表面和底表面上；第一场绝缘膜，设置在第一衬层上并部分地填充第一沟槽；第二衬层，共形地形成在第二沟槽的侧表面上并暴露第二沟槽的底表面；以及第二场绝缘膜，设置在第二衬层上并部分地填充第二沟槽。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

已经开发了多栅极晶体管来增大半导体器件的密度。在多栅极晶体管中，提供有形成在基板上的鳍形或纳米线形状的硅主体，栅极形成在硅主体的表面上。

发明内容

根据本发明构思的示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；第一沟槽，与第一侧表面接触；第二沟槽，与第二侧表面接触；第一衬层，共形地形成在第一沟槽的侧表面和底表面上；第一场绝缘膜，设置在第一衬层上并部分地填充第一沟槽；第二衬层，共形地形成在第二沟槽的侧表面和底表面上并暴露第二沟槽的底表面的一部分；以及第二场绝缘膜，设置在第二衬层上并部分地填充第二沟槽。

第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度。

第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。

第二场绝缘膜的上表面比第一场绝缘膜的上表面高、或者与第一场绝缘膜的上表面一致。

该半导体器件还包括形成在鳍型图案以及第一场绝缘膜和第二场绝缘膜上的栅电极。

栅电极包括第一部分和第二部分，第一部分交叠第一场绝缘膜，第二部分交叠第二场绝缘膜，第二部分的厚度比第一部分的厚度薄。

第二衬层包括共形地形成在第二沟槽的侧表面上的侧部区域以及与侧部区域连接并沿第二沟槽的底表面的一部分共形地形成的底部区域，第二场绝缘膜包括与侧部区域接触的第一区域以及与第一区域接触并且通过第一区域与侧部区域间隔开的第二区域，第一区域的上表面的高度低于第二区域的上表面的高度。

第一区域的上表面的高度与第一场绝缘膜的上表面的高度相同。

第二衬层包括共形地形成在第二沟槽的侧表面上的侧部区域以及与侧部区域连接并沿第二沟槽的底表面的一部分共形地形成的底部区域。

第二场绝缘膜包括与侧部区域接触的第一区域以及与第一区域接触并通过第一区域与侧部区域间隔开的第二区域。

第一区域的蚀刻速度不同于第二区域的蚀刻速度。

第一区域和第二区域包含彼此不同的材料。

第一区域与基板间隔开，并且第二区域与基板直接接触。

第一区域的底表面高于第二区域的底表面。

侧部区域的上表面的高度与第二场绝缘膜的上表面的高度相同。

第一衬层的最高部分的高度与第二衬层的最高部分的高度相同。

第一衬层的最高部分的高度与第一场绝缘膜的最高部分的高度相同。

根据本发明构思的示范性实施方式，提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案；第一沟槽，形成在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间；第一衬层，与第一鳍型图案接触并共形地形成在第一沟槽的侧壁和底表面的一部分上；第二衬层，与第二鳍型图案接触，与第一衬层间隔开，并共形地形成在第一沟槽的另一侧壁和底表面的另一部分上；以及填充第一沟槽的第一场绝缘膜，其中第一场绝缘膜包括形成在第一衬层上的第一绝缘膜、形成在第二衬层上的第二绝缘膜以及形成在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间的第三绝缘膜。

第三绝缘膜的上表面高于第一绝缘膜和第二绝缘膜的上表面。