[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍型图案，从基板突出并包括彼此相反的第一侧表面和第二侧表面；

第一沟槽，与所述第一侧表面接触；

第二沟槽，与所述第二侧表面接触；

第一衬层，共形地形成在所述第一沟槽的侧表面和底表面上；

第一场绝缘膜，设置在所述第一衬层上并部分地填充所述第一沟槽；

第二衬层，共形地形成在所述第二沟槽的侧表面和底表面上并暴露所述第二沟槽的底表面的一部分；以及

第二场绝缘膜，设置在所述第二衬层上并部分地填充所述第二沟槽，

其中所述第二衬层的一部分设置在所述第二场绝缘膜的底部之下。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一沟槽的宽度小于所述第二沟槽的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一沟槽的深度小于所述第二沟槽的深度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二场绝缘膜的上表面比所述第一场绝缘膜的上表面高、或者与所述第一场绝缘膜的上表面一致。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，还包括形成在所述鳍型图案以及所述第一场绝缘膜和所述第二场绝缘膜上的栅电极。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述栅电极包括第一部分和第二部分，

所述第一部分交叠所述第一场绝缘膜，

所述第二部分交叠所述第二场绝缘膜，并且

所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度薄。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第二衬层包括共形地形成在所述第二沟槽的所述侧表面上的侧部区域以及与所述侧部区域连接并沿所述第二沟槽的所述底表面的一部分共形地形成的底部区域，

所述第二场绝缘膜包括与所述侧部区域接触的第一区域以及与所述第一区域接触并通过所述第一区域与所述侧部区域间隔开的第二区域，并且

所述第一区域的上表面的高度低于所述第二区域的上表面的高度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一区域的上表面的高度与所述第一场绝缘膜的上表面的高度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二衬层包括共形地形成在所述第二沟槽的所述侧表面上的侧部区域以及与所述侧部区域连接并沿所述第二沟槽的所述底表面的一部分共形地形成的底部区域。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二场绝缘膜包括与所述侧部区域接触的第一区域以及与所述第一区域接触并通过所述第一区域与所述侧部区域间隔开的第二区域。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域的蚀刻速度不同于所述第二区域的蚀刻速度。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域和所述第二区域包含彼此不同的材料。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域与所述基板间隔开，并且所述第二区域与所述基板直接接触。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一区域的底表面高于所述第二区域的底表面。

15.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述侧部区域的上表面的高度与所述第二场绝缘膜的上表面的高度相同。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一衬层的最高部分的高度与所述第二衬层的最高部分的高度相同。