[发明专利]无导线表面电镀方法及由该方法制得的电路板在审
申请号: | 201610808990.0 | 申请日: | 2016-09-08 |
公开(公告)号: | CN107809852A | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 贾梦璐 | 申请(专利权)人: | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司;宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 |
主分类号: | H05K3/24 | 分类号: | H05K3/24 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 薛晓伟 |
地址: | 518105 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导线 表面 电镀 方法 法制 电路板 | ||
1.一种无导线表面电镀方法,其包括如下步骤:
步骤S1:提供一初始电路板,该初始电路板包括基材及结合于该基材相背两表面的两个导电线路层,该初始电路板上具有导通孔,所述两个导电线路层通过该导通孔电连接,每一导电线路层主要由导电线路形成,每一导电线路层的导电线路之间具有至少一间隙,该间隙的底面为所述基材的表面;
步骤S2:在所述间隙的底面上形成导电高分子膜,该间隙两侧的导电线路通过该导电高分子膜电性连接;
步骤S3:在所述导电线路层及导电高分子膜的远离所述基材表面形成光阻层;
步骤S4:在所述光阻层上形成至少一电镀槽;
步骤S5:在所述电镀槽内电镀金属保护层;
步骤S6:移除所述光阻层,使被光阻层所覆盖的导电线路层的表面、导电高分子膜的表面及金属保护层的表面裸露;
步骤S7:移除所述导电高分子膜,使被导电高分子膜所覆盖的基材的表面、导电线路层的间隙的侧面及金属保护层的表面裸露。
2.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述导电高分子膜覆盖间隙的整个底面,且该导电高分子膜与间隙两侧的导电线路直接接触并电性连接,所述导电高分子膜的厚度为1~1000nm。
3.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述导电高分子膜的材质为聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、苯胺的衍生物、吡咯衍生物或者噻吩衍生物的聚合物。
4.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述步骤S2包括以下步骤:
步骤S21:使用含有高锰酸根的氧化性溶液对间隙内裸露的基材进行氧化,以在基材的表面形成二氧化锰膜;
步骤S22:提供导电性高分子单体及酸性溶液的混合液,将该混合液涂敷在所述二氧化锰膜的表面,在二氧化锰的催化作用下,该导电性高分子单体发生聚合,而在基材的表面形成导电高分子膜,所述导电性高分子单体为苯胺、吡咯、噻吩、苯胺的衍生物、吡咯衍生物或者噻吩衍生物。
5.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述形成导电高分子膜的方法为在基材的表面喷涂、印刷或化学沉积导电高分子材料。
6.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述光阻层为感光性干膜或感光油墨。
7.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:利用电路板表面去污的方法移除导电高分子膜。
8.如权利要求1所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述电镀槽为台阶型凹槽,该电镀槽包括第一电镀凹部及第二电镀凹部,该第一电镀凹部的底面为导电线路层的远离基材的表面,该第二电镀凹部的底面为导电高分子膜的远离基材的表面,所述金属保护层的厚度小于或等于所述第二电镀凹部的宽度的二分之一。
9.如权利要求8所述的无导线表面电镀方法,其特征在于:所述金属保护层为L型,该金属保护层包括结合在第一电镀凹部的底面的第一部分及形成在所述第二电镀凹部內的第二部分。
10.一种电路板,其包括基材及结合于该基材的相背两表面的两个导电线路层,每一导电线路层主要由导电线路形成,每一导电线路层的导电线路之间具有至少一间隙,该间隙具有一底面及与该底面连接的至少两个侧面,该底面为基材的表面,该电路板还包括至少一金属保护层,其特征在于:该金属保护层包括一第一部分及由该第一部分延伸形成的第二部分,该第一部分结合在所述导电线路层的远离基材的表面上,该第二部分结合在所述间隙的邻近该第一部分的侧面上,该第二部分的邻近基材的端部与基材之间具有一定的距离。
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