[发明专利]一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法

说明书

本发明提供了一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，在滤波器的工艺完成后，采用正性光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆，采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使得不透光区域下方的光阻部分被光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合为止，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触，对未进行光阻覆盖的多晶硅区域进行N型重掺杂，以实现对多晶硅区域中两电极端进行N型重掺杂。

技术领域

本发明具体涉及一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器是在封装过程中，利用准分子镭射作为热源，镭射光经过投射系统后，会产生能量均匀分布的镭射光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上，当非晶硅结构玻璃基板吸收准分子镭射的能量后，会转变成为多晶硅结构，因整个处理过程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可适用。低温多晶硅工艺复杂，耗时长。

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；简称LTPS)，传统高分辨率LTPS工艺中，由于尺寸较小的原因器件Channel中的LSM层在Pixel中为一整块设计，在Poly Si成膜后，采用一道NCD光罩对TFT沟道区域中的Poly Si进行N型掺杂，以调节TFT的阈值电压，该道NCD光罩为Clear，即NCD光罩区域为透光区域，在对该工艺完成后，在采用NP光罩，如图1中两个虚线区域4所示，对源漏极两端下方的Poly Si进行N型重掺杂处理，以实现TFT器件的源漏区域中源漏电极与Poly Si之间维持欧姆接触，且该道光罩中的NP区域也为Clear，即NP光罩区域为透光区域，整个曝光过程均采用正性光阻。相对于传统的非晶态工艺(Amorphous)，光罩次数明显增多；大量的光罩制程增加了产品的制作周期，同时也增大了器件的制备误差，特别是高分辨率的产品工艺，因其较紧密的设计尺寸而对工艺误差影响极高。

发明内容

本发明的目的是提供一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，以解决高分辨率的产品中因大量的光罩制程增加了产品的制作周期，同时也增大了器件的制备误差的问题。

为了解决上述问题，本发明的制作方法为：

对多晶硅完成滤波器工艺后，采用光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆；

采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，不透光区域的上边区域到门电极的NP边缘区域之间的距离为a；

通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使不透光区域下方的光阻部分得以光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，距离a的取值范围为1～2um。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，光阻为正性光阻。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，曝光强度的控制通过控制曝光量的大小、光分布方向的变化或曝光时间实现。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，过曝处理的次数为10～50。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，在达到了薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触后，对未进行光阻覆盖的多晶硅区域进行掺杂。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，掺杂为N型重掺杂。

本发明提供的一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，优选地，掺杂为N型重掺杂中硼的表面掺杂浓度在4E20cm^-3～1.5E21cm^-3以内，所述磷的浓度在0.3％～4％以内。