[发明专利]一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法有效
| 申请号： | 201610804861.4 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106324931B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈归 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光阻 不透光区域 低温多晶硅 多晶硅区域 高分辨率 多晶硅 光罩 像素 滤波器 金属 薄膜晶体管 电极区域 光阻边缘 欧姆接触 曝光处理 曝光方式 源漏电极 正性光阻 电极端 下边缘 重合 成膜 涂覆 显影 与门 制作 光照 曝光 覆盖 | ||
1.一种高分辨率的低温多晶硅像素的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
对多晶硅完成滤波器工艺后，采用光阻对成膜后的多晶硅进行涂覆；
采用光盾金属光罩在不透光区域内进行曝光处理，不透光区域的上边区域到门电极的NP边缘区域之间的距离为a；
通过控制曝光强度或曝光方式对光盾金属光罩下的光阻进行多次过曝处理，使不透光区域下方的光阻部分得以光照，直至显影后的光阻边缘与门电极区域的NP区域的下边缘相重合，以使薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，距离a的取值范围为1～2um。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，光阻为正性光阻。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，曝光强度的控制通过控制曝光量的大小、光分布方向的变化或曝光时间实现。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，过曝处理的次数为10～50。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在达到了薄膜晶体管的源漏电极与多晶硅之间维持欧姆接触后，对未进行光阻覆盖的多晶硅区域进行掺杂。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，掺杂为N型重掺杂。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，掺杂为N型重掺杂中硼的表面掺杂浓度在4E20cm-3～1.5E21cm-3以内，磷的浓度在0.3％～4％以内。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，距离a的取值为2um。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的制作方法，其特征在于，过曝处理的次数为35。
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