[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第一绝缘物层；

在所述第一绝缘物层上形成图案化的第二半导体层，其中所述第二半导体层的实际厚度大于所述第二半导体层的目标厚度，所述第二半导体层露出所述第一绝缘物层的一部分；

在所述第一绝缘物层的被露出的所述部分上且在所述第二半导体层的侧面上形成用作间隔物的第二绝缘物层；以及

对所述第二半导体层执行刻蚀以将所述第二半导体层减薄到所述目标厚度并去除所述第二绝缘物层；

其中，在对所述第二半导体层执行刻蚀的步骤中，所述刻蚀还使得所述第二半导体层的边缘圆角化，以及使得所述第一绝缘物层的至少一部分边缘圆角化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在形成所述第二半导体层的步骤中，所述第二半导体层的实际厚度比所述第二半导体层的目标厚度大30％至50％。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

在形成所述第二半导体层的步骤中，所述第二半导体层的实际厚度为0.45μm至0.6μm，所述第二半导体层的目标厚度为0.3μm至0.4μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料分别包括多晶硅；

所述第一绝缘物层和所述第二绝缘物层的材料分别包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一绝缘物层上形成图案化的第二半导体层的步骤包括：

在所述第一绝缘物层上形成第二半导体层；以及

对所述第二半导体层执行图案化以露出所述第一绝缘物层的一部分。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在对所述第二半导体层执行图案化的步骤中，所露出的所述第一绝缘物层的一部分为所述第一绝缘物层的边缘部分；

其中，所述第一半导体层、所述第一绝缘物层和所述第二半导体层形成台阶形状。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在对所述第二半导体层执行图案化的步骤中，还形成了穿过所述第二半导体层到所述第一绝缘物层的第一通孔。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在对所述第二半导体层执行刻蚀的步骤中，所述刻蚀还使得所述第一半导体层的边缘圆角化。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一半导体层、所述第一绝缘物层以及所述第二半导体层上形成覆盖层，所述覆盖层的材料不同于所述第一绝缘物层的材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

所述覆盖层的材料包括氮化硅。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述覆盖层执行刻蚀以形成露出所述第一半导体层的一部分的第一凹陷、露出所述第二半导体层的一部分的第二凹陷、以及与所述第一通孔相对准的第二通孔，

其中，所述第一通孔与所述第二通孔一起作为穿过所述覆盖层和所述第二半导体层到所述第一绝缘物层的通孔。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一凹陷的至少底部上形成第一接触层；以及

在所述第二凹陷的底部和侧壁上形成第二接触层，其中所述第二接触层延展到所述覆盖层的上表面上。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，

所述第一接触层和所述第二接触层的材料分别包括：铝、铜或钨。