[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽，所述沟槽包括第一沟槽区域、第二沟槽区域以及将第一沟槽区域和第二沟槽区域连通的第三沟槽区域，所述第一沟槽区域的宽度大于所述第二沟槽区域和第三沟槽区域的宽度；

在所述半导体衬底上形成绝缘层，以确保填满所述第二沟槽区域和第三沟槽区域，且所述第一沟槽区域的侧壁形成有所述绝缘层但未填满所述第一沟槽区域；

在所述绝缘层上形成第一多晶硅层，以确保填满所述第一沟槽区域；

去除多余的所述第一多晶硅层，直至露出所述绝缘层，所述去除多余的第一多晶硅层后在所述第一沟槽区域留下的所述第一多晶硅层构成作为深栅的第一电极；

去除多余的所述绝缘层，以去除位于所述半导体衬底表面的全部绝缘层以及位于所述沟槽内的部分绝缘层；

在所述半导体衬底上形成栅氧化物层，所述沟槽露出的侧壁上以及所述第一多晶硅层上，均形成有所述栅氧化物层；

在所述栅氧化物层上形成第二多晶硅层，以填满所述沟槽；

去除多余的所述第二多晶硅层，直至露出位于所述半导体衬底表面以及所述第一多晶硅层顶部的栅氧化物层，所述去除多余的所述第二多晶硅层后在所述第二沟槽区域留下的所述第二多晶硅层构成作为浅栅的第二电极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用沉积或者氧化生长工艺形成所述绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过腐蚀工艺实施所述去除。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述腐蚀工艺为湿法腐蚀。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，去除多余的所述第二多晶硅层后，还包括在所述半导体衬底上形成层间介质层的步骤。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述层间介质层之前，还包括通过离子注入工艺在所述半导体衬底中形成阱区和源区的步骤。

7.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述层间介质层之后，还包括：通过光刻、刻蚀工艺形成贯穿所述层间介质层的底部分别电连接位于元胞区的源区、位于元胞区的所述第一沟槽区域内的第一多晶硅层和位于所述第二沟槽区域内的第二多晶硅层的第一接触塞、第二接触塞和第三接触塞；以及在所述层间介质层上形成彼此独立的第一金属层和第二金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一接触塞和所述第二接触塞的顶部电连接所述第一金属层，所述第三接触塞的顶部电连接所述第二金属层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极之间通过所述栅氧化物层实现电气绝缘。

10.一种采用如权利要求1-9之一所述的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为VDMOS，所述去除多余的所述第一多晶硅层后留下的所述第一多晶硅层的顶部和所述去除多余的所述第二多晶硅层后留下的所述第二多晶硅层的 顶部平齐。