[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201610787056.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799409B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
形成基底，所述基底包括用于形成晶体管的第一区域、第二区域和第三区域，且所述第一区域晶体管的阈值电压大于第二区域晶体管的阈值电压，所述第三区域晶体管的导电类型与第一区域晶体管和第二区域晶体管不同；
在所述基底上形成伪栅结构；
在相邻伪栅结构间的基底上形成介质层；
去除所述伪栅结构在所述介质层内形成开口；
在所述开口底部形成栅介质层，位于所述第一区域介质层内开口底部的栅介质层为第一栅介质层，位于所述第二区域介质层内开口底部的栅介质层为第二栅介质层，位于所述第三区域介质层内开口底部的栅介质层为第三栅介质层；
在所述第二栅介质层和第三栅介质层上形成牺牲层；
在所述第一栅介质层和牺牲层上形成第一材料层；
形成位于所述第一材料层上的第一掩膜，所述第一掩膜露出所述第二栅介质层上的第一材料层；
以所述第一掩膜为掩膜，去除所述第二栅介质层上的第一材料层和牺牲层，露出所述第二栅介质层；
去除所述第一掩膜，露出所述第一栅介质层上的所述第一材料层，所述第一材料层还位于第三区域的牺牲层上；
形成第二材料层，所述第二材料层位于第一栅介质层上的第一材料层、所述第二栅介质层以及第三区域的牺牲层上。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成牺牲层的步骤中，所述牺牲层的厚度在到范围内。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述牺牲层的步骤包括：
在所述栅介质层上形成初始材料层；
去除所述第一栅介质层上的初始材料层，露出所述第一栅介质层，位于所述第二栅介质层上的初始材料层作为所述牺牲层。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一栅介质层上的初始材料层的步骤包括：
在所述初始材料层上形成第二掩膜，所述第二掩膜露出所述第一栅介质层上的初始材料层；
以所述第二掩膜为掩膜，去除所述第一栅介质层上的初始材料层，露出所述第一栅介质层；
去除所述第二掩膜，露出所述第二栅介质层上的初始材料层，形成牺牲层。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，形成所述第二掩膜的步骤包括：
在所述初始材料层上形成第二掩膜材料层；
在所述第二掩膜材料层上形成第一图形层，所述第一图形层露出所述第一栅介质层上的第二掩膜材料层；
以所述第一图形层为掩膜，去除所述第一栅介质层上的第二掩膜材料层，露出所述第一栅介质层上的初始材料层，形成所述第二掩膜。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，形成第二掩膜材料层的步骤中，所述第二掩膜材料层为底部抗反射层。
7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一栅介质层上的第二掩膜材料层的步骤包括：通过干法刻蚀的方式去除所述第一栅介质层上的第二掩膜材料层。
8.如权利要求3或4所述的形成方法，其特征在于，去除所述第一栅介质层上的初始材料层的步骤包括：通过湿法刻蚀的方式去除所述第一栅介质层上的初始材料层。
9.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二掩膜的步骤中，通过灰化的方式去除所述第二掩膜。
10.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，
形成初始材料层的步骤中，所述初始材料层还位于所述第三栅介质层上；
形成第二掩膜的步骤中，所述第二掩膜还位于所述第三栅介质层上；
形成所述第一材料层的步骤中，所述第一材料层还位于所述第三栅介质层上；
形成第一掩膜的步骤中，所述第一掩膜还位于所述第三栅介质层上；
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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