[发明专利]一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法

权利要求书

1.一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板的制备方法，其特征在于，所述钼板中K的质量百分比含量为0.01～0.03％，Si的质量百分比含量为0.01～0.05％，所述制备方法包括如下步骤：

步骤一，按照所述钼板中K和Si的含量分别称取所需的K源和Si源，配制得到混合溶液；所述步骤一中，称取的K源和Si源的用量符合如下关系：按重量百分比，K：Si＝1:0.8～1.5；

步骤二，将步骤一得到的所述混合溶液与Mo源混合均匀并干燥，得到掺杂Mo源；

步骤三，将步骤二得到的混合物进行还原处理，得到掺杂钼粉；

步骤四，将步骤三得到的掺杂钼粉进行压型、烧结、轧制处理，得到掺杂钼板；

步骤五，将步骤四得到的掺杂钼板进行退火处理，得到高温抗蠕变钼板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，称取的K源和Si源的用量符合如下关系：按重量百分比，K:Si＝1:1。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述K源为KNO3，所述Si源为H2SiO3。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中，K的浓度为3～30g/L，Si的浓度为3～35g/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述Mo源为四钼酸铵。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，以100kg四钼酸铵计，四钼酸铵与2.5-10L所述混合溶液混合均匀并干燥，得到掺杂四钼酸铵。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤二在双锥式真空烘干机中进行。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述还原处理分为两个阶段，第一次还原处理得到掺杂二氧化钼，第二次还原处理得到掺杂钼粉。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述第一次还原处理的还原温度为450-520℃，所述第二次还原处理的还原温度为930-1000℃。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤三中，所述还原处理通过四管还原炉进行，所述第一次还原处理时，装舟量为200-300g/舟，推舟速度为15-30min/舟；所述第二次还原处理时，装舟量为0.8-1.5kg/舟，推舟速度为10-25min/舟。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述压型处理采用冷等静压成型，得到掺杂钼板坯。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述冷等静压成型的压力为150-200MPa，保压时间15-25min。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在所述压型处理之前，对所述掺杂钼粉过120-160目筛，取筛下粉末进行压型处理。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤四中，所述烧结处理采用中频炉烧结，得到掺杂钼烧结板坯，烧结温度为1920-1950℃，烧结时间为2～8小时；所述轧制处理采用热轧，得到所述掺杂钼板，开轧温度为1280～1400℃，终轧温度为700～1100℃，所述掺杂钼板的厚度为0.5～4mm。

15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤五中，所述退火处理的温度为1550-1900℃，时间为4-6h。

16.采用权利要求1-15任一方法制备得到的掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板。