[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部；所述鳍部延伸方向为第一方向，垂直于第一方向的为第二方向，所述多个分立的鳍部在第一方向和第二方向呈矩阵排列；

在所述鳍部之间的衬底上形成初始隔离层，包括用于实现第一方向鳍部之间隔离的第一初始隔离层，以及用于实现第二方向鳍部之间隔离的第二初始隔离层；

去除部分厚度的第一初始隔离层形成第一隔离层，使所述第一隔离层顶部低于相邻鳍部顶部，在所述鳍部之间形成沟槽；

在所述第一隔离层上形成填充满所述沟槽的第二隔离层；

在高于所述鳍部顶部的第二隔离层侧壁上形成保护侧壁；

形成所述保护侧壁后，去除部分厚度的第二初始隔离层以及部分厚度的第二隔离层，剩余的第二隔离层和第一隔离层构成隔离结构；

在所述隔离结构上形成掩膜栅结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成第一隔离层的步骤包括：形成覆盖所述鳍部顶部的硬掩膜层，所述硬掩膜层内具有露出所述第一初始隔离层的图形开口；

以所述硬掩膜层为掩膜，去除部分厚度的第一初始隔离层，剩余的所述第一初始隔离层为所述第一隔离层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层的厚度为至

4.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二隔离层的步骤包括：形成填充满所述沟槽和图形开口的第三初始隔离层，所述第三初始隔离层还覆盖所述硬掩膜层顶部；

采用平坦化工艺，去除高于所述硬掩膜层顶部的第三初始隔离层，剩余的所述第三初始隔离层为所述第二隔离层。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二隔离层后，去除所述硬掩膜层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述保护侧壁的材料与所述第二隔离层的材料不同。

7.如权利要求1或6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述保护侧壁的材料为氮化硅、氮氧化硅或氮碳化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述保护侧壁的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述保护侧壁的工艺为原子层沉积工艺。

10.如权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述保护侧壁的材料为氮化硅，所述原子层沉积工艺的工艺参数包括：向原子层沉积室内通入的前驱体为含硅和氮的前驱体，前驱体的气体流量为500sccm至5000sccm，工艺温度为80摄氏度至600摄氏度，压强为1毫托至20托，沉积次数为8次至90次。

11.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在高于所述鳍部顶部的第二隔离层侧壁上形成保护侧壁的步骤包括：形成保形覆盖所述第二隔离层顶部和侧壁的保护膜，所述保护膜还覆盖所述鳍部顶部和第二初始隔离层顶部；

采用无掩膜刻蚀工艺，去除所述第二隔离层顶部、鳍部顶部和第二初始隔离层顶部的保护膜，在所述第二隔离层侧壁上形成保护侧壁。