[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

第1配线部，隔着第1绝缘膜设置在衬底上；

第1导电型的第1半导体区域，隔着第2绝缘膜设置在所述第1配线部上；

积层体，设置在所述第1半导体区域上，且所述积层体包含交替地积层的多个第3绝缘膜及多个电极层；

柱状部，设置在所述积层体内，且所述柱状部沿着所述积层体的积层方向延伸，所述柱状部包含半导体主体及电荷累积膜，所述半导体主体与所述第1半导体区域相接；

多个第1绝缘部，设置在所述积层体内，且所述多个第1绝缘部沿着所述积层方向、及与所述积层方向交叉的第1方向延伸，所述多个第1绝缘部与所述第1半导体区域相接；以及

多个半导体区域列，设置在所述第1半导体区域内，且所述多个半导体区域列分别包含相互分离的第2导电型的多个第2半导体区域，所述多个第2半导体区域设置在所述多个第1绝缘部的下方，且沿着所述第1绝缘部在所述第1方向上排列，所述多个第2半导体区域与所述第1配线部电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个第2半导体区域沿着所述积层方向从所述第1半导体区域的下端一直设置到所述第1半导体区域的上端。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第1半导体区域包含：

第1部分，从平面看，被在所述第1方向上相邻的2个所述第2半导体区域夹着；以及

第2及第3部分，从平面看，向所述第1部分的两侧扩展；且

所述第2部分经由所述第1部分与所述第3部分电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还包含多个第2绝缘部，所述多个第2绝缘部设置在所述积层体内，沿着所述积层方向及所述第1方向延伸；且

所述多个第2绝缘部的内部包含第2配线部，

所述第2配线部与所述第1半导体区域电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

还包含第3半导体区域，所述第3半导体区域设置在所述第1半导体区域内，且第1导电型杂质的浓度高于所述第1半导体区域；且

所述第2配线部经由所述第3半导体区域与所述第1半导体区域电连接。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个第2绝缘部是相对于每2个以上所述第1绝缘部而设置。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2配线部包含壁状导电体，且

所述壁状导电体在所述第2绝缘部的内部，沿着所述积层方向及所述第1方向延伸。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述第2配线部包含多个柱状导电体，且

所述多个柱状导电体在所述第2绝缘部的内部，沿着所述积层方向延伸且在所述第1方向上排列。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：

所述积层体还包含：阶梯部，设置在所述积层体的端部，且所述多个电极层形成为阶梯状；以及

多个接触部，设置在所述阶梯部，与所述多个电极层电连接；且

所述多个柱状导电体包含与所述多个接触部所含的导电物相同的导电物。

10.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述柱状部包含：

源极侧选择晶体管；

漏极侧选择晶体管；以及

多个存储单元，串联连接在所述源极侧选择晶体管的电流通路的一端与所述漏极侧选择晶体管的电流通路的另一端之间；且

所述第1配线部包含经由所述第2半导体区域电连接于所述源极侧选择晶体管的电流通路的另一端的源极线，

所述第2配线部包含经由所述第1半导体区域电连接于所述半导体主体的局部配线。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

将权利要求1所述的半导体装置在所述积层方向上隔着第4绝缘膜而积层。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个第1绝缘部中的至少1个的内部包含第3配线部，且

所述第3配线部经由所述第2半导体区域与所述第1配线部电连接。