[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

FinFET器件，所述FinFET器件包括：基底，凸出于所述基底上的鳍部，位于所述基底上且横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁，以及分别位于所述栅极结构相对两侧鳍部内的源极和漏极；

位于所述FinFET器件正上方的Fuse器件，所述Fuse器件具有阳极端以及阴极端，其中，所述阴极端与所述FinFET器件的源极电连接，所述阳极端与外接衬垫电连接；

介质层，所述介质层位于所述FinFET器件以及Fuse器件之间；

所述Fuse器件为：位于所述FinFET器件正上方的金属层，所述金属层具有两个相对的端部，其中一个端部为所述阳极端，另一个端部为所述阴极端；

所述金属层的阳极端指向阴极端的方向与所述鳍部的延伸方向相平行。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层在所述基底上的投影与所述栅极结构在所述基底上的投影具有重合部分。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层在所述基底上的投影与所述鳍部在所述基底上的投影具有重合部分。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层位于所述鳍部正上方。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层的阳极端指向阴极端的方向与所述栅极结构的长度方向相平行。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层位于所述栅极结构正上方。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层还位于所述栅极结构顶部与所述金属层底部之间；且所述栅极结构顶部与所述金属层底部之间的介质层厚度为10纳米～5000纳米。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

与所述金属层处于同层且与所述金属层电连接的导电层，且所述导电层位于所述基底的投影与所述源极具有重合部分；

电连接所述导电层以及所述源极的连接插塞。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述Fuse器件包括：位于所述FinFET器件正上方的第一金属层，位于所述第一金属层上方第二金属层，以及位于所述第一金属层与第二金属层之间且电连接所述第一金属层以及第二金属层的导电插塞，其中，所述第一金属层为所述阴极端，所述第二金属层为所述阳极端。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述导电插塞位于所述基底上的投影与所述栅极结构位于所述基底上的投影具有重合部分。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述导电插塞位于所述基底上的投影与所述鳍部位于所述基底上的投影具有重合部分。

12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层还位于所述栅极结构顶部与所述导电插塞底部之间；且位于所述栅极结构顶部与所述导电插塞底部之间的介质层的厚度为10纳米～5000纳米。

13.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

与所述第一金属层处于同层且与所述第一金属层电连接的导电层，且所述导电层位于所述基底上的投影与所述源极位于基底上的投影具有重合部分；

电连接所述导电层以及所述源极的连接插塞。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述FinFET器件的数量大于或等于1，且所述Fuse器件的阴极端与至少一个FinFET器件的源极电连接，至少一个FinFET器件的漏极接地。