[发明专利]高频开关

说明书

关联申请

本申请享受以日本专利申请2016－10950号(申请日：2016年1月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及高频开关。

背景技术

在便携电话等移动通信设备中，高频信号通过天线端子被发送接收。另外，在这样的移动通信设备中设有高频开关。该高频开关具备例如切换高频信号的路线的开关电路、以及控制该开关电路的控制电路。作为构成该开关电路的半导体装置，近年来使用n型MOSFET(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor)。

在n型MOSFET被用于上述开关电路的情况下，若n型MOSFET的导通电阻高，则高频信号的插入损失可能会变大。

发明内容

本实施方式提供一种能够减少高频信号的插入损失的高频开关。

本实施方式涉及的高频开关具备切换高频信号的路线的开关电路以及控制开关电路的控制电路。开关电路具有多个n型MOSFET。多个n型MOSFET具有源极层、漏极层、在源极层与漏极层之间设置的主体区域、在主体区域之上设置的栅极电极、以及设置为覆盖源极层、漏极层以及栅极电极并且具有拉伸内部应力的氮化硅膜。

附图说明

图1(a)是表示实施方式涉及的高频开关的概略的构成的框图，图1(b)是(a)所示的高频开关的导通状态的路线的等效电路图，图1(c)是(a)所示的高频开关的截止状态的路线的等效电路图。

图2是示意地表示实施方式涉及的高频开关的半导体装置的主要部位的剖视图以及俯视图。

图3是表示实施方式涉及的高频开关的半导体装置的布局的俯视图。

图4是表示到形成外延层为止的工序的剖视图。

图5是表示形成侧壁绝缘膜的工序的剖视图。

图6是表示形成第二半导体层和硅化物层的工序的剖视图。

图7是表示形成被覆绝缘膜的工序的剖视图。

图8是表示形成布线层间绝缘膜的工序的剖视图。

图9是表示形成接触孔的工序的剖视图。

图10是表示形成贯通被覆绝缘膜的接触孔的工序的剖视图。

图11是表示形成布线的工序的剖视图。

图12是示意地表示变形例1涉及的半导体装置的主要部位的俯视图。

图13是示意地表示变形例1涉及的半导体装置的主要部位的剖视图。

图14是示意地表示变形例2涉及的半导体装置的主要部位的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。本实施方式并不限定本发明。

图1(a)是表示实施方式涉及的高频开关的概略的构成的框图。如图1(a)所示，本实施方式涉及的高频开关100具备开关电路200以及控制电路300。

开关电路200是用于对由天线400发送接收的高频信号的路线进行切换的电路。该高频信号具有例如700MHz以上的频率以及20dBm以上的电力。在开关电路200中，按照高频信号的每条路线串联连接有多个半导体装置1。这些半导体装置1由n型MOSFET构成。

控制电路300为了控制多个半导体装置1的栅极电位而由各种各样的电子部件(例如，MOSFET)构成。多个半导体装置1基于控制电路300的控制，切换成导通状态或者截止状态。由此，上述高频信号的路线被切换。

图1(b)是图1(a)所示的高频开关的导通状态的路线的等效电路图。如图1(b)所示，在串联连接的多个半导体装置1的两端分别连接有50Ω电阻。另外，在该50Ω电阻的一方连接有频率为2GHz的电力源Vrf。在图1(b)所示的电路中，在各半导体装置1成为导通状态时，各半导体装置1变成与电阻成分Ron等效。该电阻成分Ron与50Ω相比非常小，所以，在各半导体装置1的漏极/源极间施加的电压变得非常小。

图1(c)是图1(a)所示的高频开关的截止状态的路线的等效电路图。如图1(c)所示，在各半导体装置1变成截止状态时，各半导体装置变成与电容器成分Coff等效。此时，与导通状态不同，对各Coff施加较大的电压。因此，对于各半导体装置1要求较大的截止耐压。