[发明专利]高频开关

权利要求书

1.一种高频开关，具备：

开关电路，切换高频信号的路线；以及

控制电路，控制上述开关电路，

上述开关电路具有多个n型MOSFET，

上述多个n型MOSFET具有：

源极层；

漏极层；

主体区域，设置于上述源极层与上述漏极层之间；

栅极电极，设置于上述主体区域之上；以及

氮化硅膜，设置为覆盖上述源极层、上述漏极层以及上述栅极电极，该氮化硅膜具有拉伸内部应力。

2.如权利要求1所述的高频开关，其中，

上述多个n型MOSFET还具有在上述栅极电极的侧面设置的侧壁绝缘膜，

上述氮化硅膜的膜厚为上述侧壁绝缘膜的宽度以上。

3.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述多个n型MOSFET还具有：

布线，设置为与构成栅极电极列的多个上述栅极电极成梳状；以及

主体电极，在栅极长方向上，设置于比上述布线更靠活性区域端部侧的位置。

4.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述拉伸内部应力为1GPa以上且3GPa以下。

5.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述氮化硅膜的膜厚为70nm以上。

6.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述源极层、上述漏极层以及上述主体区域设置于SOI层。

7.如权利要求3所述的高频开关，其中，

上述SOI层的厚度为70nm以下。

8.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述n型MOSFET为导通状态时的该n型MOSFET的漏极/源极间的峰值电压为100mV以下。

9.如权利要求1或2所述的高频开关，其中，

上述栅极电极的栅极长大于100nm。

10.如权利要求3所述的高频开关，其中，

在设置有上述栅极电极列的活性区域中，位于上述栅极电极列的两端的第一栅极电极为伪栅极电极，或者，从上述第一栅极电极的中心起到上述活性区域的上述电流方向的周缘部为止的长度大于上述栅极电极的中心间的间距。