[发明专利]熔丝结构及其形成和操作方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及熔丝结构及其形成和操作方法。

背景技术

熔丝通常用于重新配置存储器和逻辑电路。例如，在动态或静态存储器芯片中，缺陷存储单元或电路可以通过选择性地熔断(破坏)与缺陷电路相关的的熔丝同时激活冗余电路以形成新的电路来替换。使用选择性地破坏的熔断体的这种电路重路由技术有助于增强产率而没有报废缺陷工艺晶圆的必要。

虽然现有的熔丝及其形成方法对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。例如，每次对一个熔丝实施熔丝熔断步骤，因此非常消耗时间。在这个领域需要改进。

发明内容

本发明的实施例提供了一种熔丝结构，包括：介电带，夹在第一导电带和第二导电带中间，以及熔丝带，与所述第一导电带和所述第二导电带的每个绝缘并且具有对应于所述介电带的熔断区域。

本发明的另一实施例提供了一种熔丝结构，包括：熔丝带；第一介电层，位于所述熔丝带上方；两个导电带，位于所述第一介电层上方并且横跨所述熔丝带；以及介电带，位于所述第一介电层上方并且位于所述导电带之间，其中，所述导电带的CTE是所述介电带的CTE的至少3倍，并且所述导电带的宽度是所述介电带的宽度的至少2倍。

本发明的又一实施例提供了一种操作熔丝结构的方法，包括：提供至少一个管芯，其中，所述至少一个管芯具有熔丝结构，所述熔丝结构包括夹在第一导电带和第二导电带中间的介电带以及与所述第一导电带和所述第二导电带的每个绝缘并且具有对应于所述介电带的熔断区域的熔丝带；加热所述管芯至预定的温度；以及冷却加热的管芯，其中，在冷却步骤期间，所述熔丝带在所述熔断区域处熔断。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1A至图1C是根据一些实施例的形成熔丝结构的方法的示意截面顶视图。

图2A至图2C是根据一些实施例的形成熔丝结构的方法的示意顶视图。

图3是根据一些实施例的熔丝结构的示意截面图。

图4至图6是根据一些实施例的破坏的熔丝结构的示意截面图。

图7是根据一些实施例的示出形成熔丝结构的方法的流程图。

图8至图9是根据可选实施例的熔丝结构的示意截面图。

图10至图11是根据可选实施例的破坏的熔丝结构的示意截面图。

图12是根据可选实施例的示出形成熔丝结构的方法的流程图。

图13是根据一些实施例的示出熔丝结构的操作方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成附加部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实例。此外，本发明可在各个实施例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“在…上方”、“上面”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

图1A至图1C是根据一些实施例的形成熔丝结构的方法的示意截面图。图2A至图2C是根据一些实施例的形成熔丝结构的方法的示意顶视图，其中，为了清楚地说明，省略了一些元件。

参照图1A至图2A，提供了在其上形成绝缘层102的衬底100。例如，衬底100包括但是不限于块状硅衬底、掺杂或未掺杂衬底或绝缘体上半导体(SOI)衬底的有源层。在一些实施例中，绝缘层102是氧化硅层，该氧化硅层是在湿或干氧环境下热生长的或通过诸如化学汽相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等的合适的沉积技术沉积的。