[发明专利]熔丝结构及其形成和操作方法在审
| 申请号： | 201610729126.1 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN106711128A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡佳州;林睦益;李梓光 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 及其 形成 操作方法 | ||
1.一种熔丝结构，包括：
介电带，夹在第一导电带和第二导电带中间，以及
熔丝带，与所述第一导电带和所述第二导电带的每个绝缘并且具有对应于所述介电带的熔断区域。
2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，所述熔丝带在第一方向上延伸，并且所述介电带、所述第一导电带以及所述第二导电带在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，所述第一导电带和所述第二导电带的每个的CTE是所述介电带的CTE的至少3倍。
4.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，所述第一导电带和所述第二导电带的每个的宽度是所述介电带的宽度的至少2倍。
5.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，所述熔丝带是在所述熔丝带的端部处没有焊盘的金属线。
6.根据权利要求1所述的熔丝结构，所述第一导电带和所述第二导电带的每个的厚度是所述熔丝带的厚度的至少5倍。
7.根据权利要求1所述的熔丝结构，还包括：
第三导电带，位于所述第一导电带上方，以及
第四导电带，位于所述第二导电带上方。
8.根据权利要求7所述的熔丝结构，其中，所述第三导电带与所述第一导电带绝缘，并且所述第四导电带与所述第二导电带绝缘。
9.一种熔丝结构，包括：
熔丝带；
第一介电层，位于所述熔丝带上方；
两个导电带，位于所述第一介电层上方并且横跨所述熔丝带；以及
介电带，位于所述第一介电层上方并且位于所述导电带之间，
其中，所述导电带的CTE是所述介电带的CTE的至少3倍，并且所述导电带的宽度是所述介电带的宽度的至少2倍。
10.一种操作熔丝结构的方法，包括：
提供至少一个管芯，其中，所述至少一个管芯具有熔丝结构，所述熔丝结构包括夹在第一导电带和第二导电带中间的介电带以及与所述第一导电带和所述第二导电带的每个绝缘并且具有对应于所述介电带的熔断区域的熔丝带；
加热所述管芯至预定的温度；以及
冷却加热的管芯，其中，在冷却步骤期间，所述熔丝带在所述熔断区域处熔断。
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