[发明专利]一种柔性基板的剥离方法有效
| 申请号： | 201610722057.1 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN107785310B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 贺良伟 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 剥离 方法 | ||
1.一种柔性基板的剥离方法，包括：
提供一刚性基板，所述刚性基板包括正面和与所述正面相对设置的背面；
于所述刚性基板的正面形成易侵蚀介质层；
于所述易侵蚀介质层上制备柔性基板；
在所述刚性基板的背面上制作沟槽，且所述沟槽暴露所述易侵蚀介质层的部分表面；以及
将可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液通过所述沟槽注入所述易侵蚀介质层，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离。
2.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，采用金属或者金属氧化物制备所述易侵蚀介质层。
3.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，制备所述易侵蚀介质层的厚度为0.5～10μm。
4.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，制备所述易侵蚀介质层为多孔膜层。
5.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述侵蚀药液为酸性侵蚀药液或碱性侵蚀药液。
6.如权利要求5所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述酸性侵蚀药液为硝酸、磷酸、醋酸、王水中的任一种或两种以上的混合物。
7.如权利要求5所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述碱性侵蚀药液为氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液。
8.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，于所述易侵蚀介质层上制备柔性基板的步骤具体为：在所述易侵蚀介质层上形成柔性衬底，并在所述柔性衬底上制备显示元件层。
9.如权利要求8所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述显示元件层包括阵列层、发光层、封装层以及保护层。
10.如权利要求1所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述方法中，所述将可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液通过所述沟槽注入所述易侵蚀介质层中，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离的步骤具体为：
于所述沟槽中插入一可弯折管道；
通过所述可弯折管道向所述易侵蚀介质层中注入所述可溶解所述易侵蚀介质层的侵蚀药液，以将所述柔性基板从所述刚性基板上剥离。
11.如权利要求10所述的柔性基板的剥离方法，其特征在于，所述可弯折管道为导管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610722057.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种降负荷保冷热气融霜系统和制冷设备
- 下一篇：一种显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
