[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，用于在半导体衬底中形成隔离结构，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成所述隔离结构的硬掩膜层；

以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底以形成用于形成隔离结构的沟槽，且所述沟槽通过设定次数的刻蚀步骤达到目标深度，

其中，在每一所述刻蚀步骤中包括下述操作：

以所述隔离结构的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底设定深度；

在所述刻蚀完成之后执行副产阻塞物去除操作，

其中，所述副产阻塞物去除操作包括：

CF_x或N₂的等离子体处理工艺，所述N₂等离子体处理工艺的偏压功率为50～1000W，气体流速为200～400sccm，压力为50～200mT；

氩等离子体处理工艺；

湿法清洗。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述等离子体处理工艺的反应腔室底部温度设定为10～80度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述氩等离子体处理工艺的偏压功率为50～1200W，气体流速为50～1000sccm，压力为20～200mT。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽的刻蚀包括为5～20次所述刻蚀步骤。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述隔离结构的刻蚀工艺和所述副产阻塞物操作在同一腔室中完成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述设定深度根据所述沟槽的目标深度和刻蚀次数确定。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底和所述硬掩膜层之间还形成有栅极叠层，所述栅极叠层包括遂穿氧化物和浮删；

在刻蚀所述半导体衬底形成所述沟槽之前还包括刻蚀所述栅极叠层的步骤。

9.一种采用如权利要求1-8中的任意一项所述的制作方法制作的半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。