[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有含硅凸起阵列和用于形成隔离结构的沟槽；

形成填充所述含硅凸起阵列间隙和用于形成隔离结构的沟槽的隔离结构氧化物；

去除部分所述填充层以露出所述含硅凸起的顶端；

对所述含硅凸起的顶端执行离子体处理以在所述含硅凸起的顶端形成电流阻挡层；

去除部分所述填充层以露出所述含硅凸起，并在所述半导体衬底中形成隔离结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成含硅凸起阵列的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成含硅材料层和图形化的硬掩膜层；

以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述含硅材料层以形成含硅凸起阵列；

以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体衬底以形成用于形成隔离结构的沟槽。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述图形化硬掩膜层包括氧化物。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述含硅材料层和所述图形化硬掩膜层之间还形成有氮化物停止层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层为氮化物。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，对所述含硅凸起的顶端执行含氮等离子体处理，以形成所述氮化物。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述含氮等离子体处理为N2或NH3等离子体处理。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述含硅凸起阵列为多晶硅浮栅阵列。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述含硅凸起阵列为含硅鳍片阵列。