[发明专利]一种有机发光器件的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件领域，尤其涉及一种有机发光器件的制备方法。

背景技术

有机电致发光二极管（OLED）被认为是“梦幻显示”。 目前，OLED已经成功应用于智能手机、手表以及平板电脑等电子产品。

OLED是一种自发光器件，通过在一对电极间夹着功能层且施加电压，从电子传输层注入的电子和空穴传输层注入的空穴在发光层复合形成激子，并且该激子在回到基态时发出可见光。为了提升OLED器件的性能，OLED经历了从荧光发光、磷光发光到延迟荧光发光的演化过程。目前OLED的器件可以达到很高的效率。要想进一步提升OLED器件的效率以及实用性，需要OLED具有更低的驱动电压。同时OLED的器件的寿命还有待进一步提高。寿命的短板制约着OLED的产业化进程。

目前可以通过空穴传输层的p型掺杂（比如在空穴传输材料NPB中掺杂MoO₃或者F4-TCNQ），达到提高空穴传输性能以及空穴注入能力的目的。掺杂之后的器件驱动电压有很大的降低。但是在增强空穴注入传输能力的同时，会带来空穴电子不平衡的问题，使得OLED器件无法发挥最大性能。

如果我们同时在电子传输层引入n型掺杂（比如在电子传输材料TPBi中掺杂Li或者CsCO₃），可以提高电子传输以及注入能力。同时具有p型和n型掺杂的器件驱动电压有进一步的降低，而且激子复合更加平衡，器件效率进一步提升。

然而由于n型掺杂的客体掺杂比率很小，很难在工业生产中长期控制它的比率，而且使用的掺杂剂Li或者CsCO₃对从Al电极透过的水气十分敏感，容易造成器件的发光退化。

要想解决这些问题，可以在n型电子注入层之上加入一层保护层，将不稳定的掺杂材料Li或CsCO₃和Al电极隔绝开，同时还不影响电子的注入和传输。这种保护层的选择就变得非常关键。

发明内容

解决的技术问题：针对现有的有机磷光器件寿命短、效率低的缺点，本发明提供一种有机发光器件的制备方法，用该制备方法制备得到的有机发光器件效率高、电压低、工作寿命长。

技术方案：一种有机发光器件的制备方法，该方法的制备步骤如下：

第一步：将ITO透明导电玻璃基片在清洗剂中超声处理后，进行清洗，再烘烤至干燥，然后用紫外灯和臭氧进行处理，再把处理过的ITO透明导电玻璃基片置于真空腔内，抽真空至3.0×10^-4～4.0×10^-4Pa；

第二步：在ITO透明导电玻璃基片上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物A，形成具备空穴注入以及传输性能的p型功能层，其中混合物A由掺杂剂和主体材料NPB组成，掺杂剂为MoO₃或F4-TCNQ，蒸镀速率为0.3 Å/s，镀膜厚度为45 nm；

第三步：在p型功能层上蒸镀由TAPC或TCTA形成的电子阻挡层，其中蒸镀速率为2Å/s，镀膜厚度为14 nm；

第四步：在电子阻挡层上采用双源蒸镀的方法，将TPBi作为主体材料，PO-01或者Ir(MDQ)₂(acac)作为染料制备有机发光层，其中蒸镀速率为2Å/s，镀膜厚度为15 nm；

第五步：在有机发光层上蒸镀TPBi，形成具有空穴阻挡和电子传输作用的电子传输层，其中蒸镀速率为2 Å/s，镀膜厚度为15 nm；

第六步：在电子传输层上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物B，形成具备电子注入以及传输性能的n型功能层，其中混合物B由掺杂剂Li和主体材料TPBi组成，蒸镀速率为2 Å/s，镀膜厚度为10 nm；

第七步：在n型功能层上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物C，形成具备空穴注入以及传输性能的p’型功能层，其中化合物C由掺杂剂和主体材料NPB组成，掺杂剂为MoO₃或F4-TCNQ，蒸镀速率为2 Å/s，镀膜厚度为35 nm；

第八步：在p’型功能层上真空蒸镀Al层，形成阴极，即得有机发光器件，其中Al层的厚度为100nm。

上述所述的第一步中清洗的步骤为先用去离子水冲洗，再依次用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次。

上述所述的第一步中将真空腔内的真空抽至3.0×10^-4Pa。

上述所述的第二步中将NPB作为主体材料，MoO₃或F4-TCNQ作为掺杂剂制备p型功能层时，MoO₃的掺杂浓度为20 vol.%；F4-TCNQ的掺杂浓度为3 vol.%。