[发明专利]一种有机发光器件的制备方法有效
| 申请号: | 201610692105.7 | 申请日: | 2016-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN106207014B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
| 发明(设计)人: | 廖良生;王照奎;张磊;周东营 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司32200 | 代理人: | 曹毅 |
| 地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 发光 器件 制备 方法 | ||
1.一种有机发光器件的制备方法,其特征在于该方法的制备步骤如下:
第一步:将ITO透明导电玻璃基片在清洗剂中超声处理后,进行清洗,再烘烤至干燥,然后用紫外灯和臭氧进行处理,再把处理过的ITO透明导电玻璃基片置于真空腔内,抽真空至3.0×10-4~4.0×10-4Pa;
第二步:在ITO透明导电玻璃基片上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物A,形成具备空穴注入以及传输性能的p型功能层,其中混合物A由掺杂剂和主体材料NPB组成,掺杂剂为MoO3或F4-TCNQ,蒸镀速率为0.3 Å/s,镀膜厚度为45 nm;
第三步:在p型功能层上蒸镀由TAPC或TCTA形成的电子阻挡层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为14 nm;
第四步:在电子阻挡层上采用双源蒸镀的方法,将TPBi作为主体材料,PO-01或者Ir(MDQ)2(acac)作为染料制备有机发光层,其中蒸镀速率为2Å/s,镀膜厚度为15 nm;
第五步:在有机发光层上蒸镀TPBi,形成具有空穴阻挡和电子传输作用的电子传输层,其中蒸镀速率为2 Å/s,镀膜厚度为15 nm;
第六步:在电子传输层上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物B,形成具备电子注入以及传输性能的n型功能层,其中混合物B由掺杂剂Li和主体材料TPBi组成,蒸镀速率为2 Å/s,镀膜厚度为10 nm;
第七步:在n型功能层上采用双源蒸镀的方法蒸镀混合物C,形成具备空穴注入以及传输性能的p’型功能层,其中化合物C由掺杂剂和主体材料NPB组成,掺杂剂为MoO3或F4-TCNQ,蒸镀速率为2 Å/s,镀膜厚度为35 nm;
第八步:在p’型功能层上真空蒸镀Al层,形成阴极,即得有机发光器件,其中Al层的厚度为100nm。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第一步中清洗的步骤为先用去离子水冲洗,再依次用去离子水、丙酮、乙醇反复清洗三次。
3.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第一步中将真空腔内的真空抽至3.0×10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第二步中将NPB作为主体材料,MoO3或F4-TCNQ作为掺杂剂制备p型功能层时,MoO3的掺杂浓度为20 vol.%;F4-TCNQ的掺杂浓度为3 vol.%。
5.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第四步中将TPBi作为主体材料,PO-01作为染料制备有机发光层时,PO-01的掺杂浓度为6 vol.%。
6.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第四步中将TPBi作为主体材料,Ir(MDQ)2(acac)作为染料制备有机发光层时,Ir(MDQ)2(acac)的掺杂浓度为4 vol.%。
7.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第六步中将TPBi作为主体材料,Li作为掺杂剂制备n型功能层时,Li的掺杂浓度为1 vol.%。
8.根据权利要求1所述的一种有机发光器件的制备方法,其特征在于:所述第七步中所述将NPB作为主体材料,MoO3或F4-TCNQ作为掺杂剂制备p’型功能层时,MoO3的掺杂浓度为20 vol.%;F4-TCNQ的掺杂浓度为3 vol.%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





