[发明专利]量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统

说明书

技术领域

本发明涉及量子点膜制备领域，具体而言，涉及一种量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统。

背景技术

量子点由于具有优异的光学性能，因此被广泛应用于显示面板或LED光源等器件中。在应用时量子点需要与水汽和氧气隔绝，因此一般采用阻隔膜对量子点进行保护。目前常将量子点分散于聚合物中形成量子点树脂，然后将量子点树脂置于载体上形成量子点膜，然后在量子点膜的裸露表面设置阻隔膜对量子点进行保护。

现有的量子点膜技术为分散式的，即在PET或者其他透明柔性基材上形成量子点膜，在其他基材上形成阻隔膜，然后将两种膜贴合在一起。这种方法需要后期的贴合成本，也会由于增加贴合的工艺而影响产品良率。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种量子点膜层、其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统，以解决现有技术中的采用贴合方式导致的量子点膜层良率降低的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种量子点膜层的制作方法，包括：步骤S1，在基材上设置量子点膜；以及步骤S2，在量子点膜上生长阻隔层。

进一步地，上述步骤S2包括：在真空条件下采用PECVD、PVD和/或ALD制备氧化铝层、氧化硅层或氮化硅层作为阻隔层。

进一步地，上述采用电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法形成Al₂O₃层作为阻隔层，优选电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法的O₂流量为100～200sccm，三甲基铝流量为30～50sccm，压力为5～7E-3Torr，射频功率为1～3KW。

进一步地，上述电感耦合式等离子体增强化学气相沉积过程分次进行，每次持续5～15s，重复5～15次。

进一步地，上述制作方法在步骤S1和步骤S2之间或者在步骤S2之后还包括在基材的远离量子点膜的表面上生长基体阻隔层，优选基体阻隔层的生长方法和步骤S2中阻隔层的生长方法相同。

进一步地，上述步骤S1包括：在氮气气氛下，在基材上打印或涂布量子点树脂；将量子点树脂进行固化，形成量子点膜。

进一步地，上述量子点树脂为含有量子点的UV固化树脂，固化采用UV照射固化。

进一步地，上述基材为玻璃时，步骤S1在打印或涂布量子点树脂之前还包括对玻璃进行清洁处理的过程。

进一步地，上述基材包括树脂基体和设置在树脂基体上的基体阻隔层时，步骤S1在打印或涂布量子点树脂之前还包括在树脂基体的表面上生长基体阻隔层的过程，量子点膜设置在所述基体阻隔层上，优选生长基体阻隔层的方法与步骤S2中生长阻隔层的方法相同。

进一步地，上述制作方法在步骤S2之后还包括在阻隔层上生长保护层的步骤。

进一步地，上述生长保护层的步骤包括：在真空环境下或氮气气氛中打印或喷涂树脂；将树脂固化形成保护层。

进一步地，上述树脂为UV树脂，固化采用UV照射固化。

进一步地，上述制作方法实施过程中基材固定在载台上，载台采用非接触式磁力进行驱动。

根据本申请的另一方面，提供了一种在线连续制作量子点膜层的系统，该系统包括依次设置的量子点膜形成装置和阻隔层生长装置。

进一步地，上述阻隔层生长装置包括成膜站，优选成膜站内设置有PECVD设备、PVD设备和/或ALD设备。

进一步地，上述量子点膜形成装置包括依次设置的量子点打印站和第一固化站，第一固化站设置在量子点打印站的下游，成膜站设置在第一固化站的下游，优选第一固化站为UV固化站。

进一步地，上述系统还包括设置在阻隔层生长装置下游的保护层形成装置。

进一步地，上述保护层形成装置包括依次设置的保护层打印站和第二固化站，第二固化站设置在保护层打印站的下游，优选第二固化站为UV固化站。

进一步地，上述系统还包括设置在量子点打印站上游的上料站和第一缓冲站，以及设置在第二固化站下游的第二缓冲站和下料站，第一缓冲站设置在上料站的下游，第二缓冲站设置在下料站的上游。

进一步地，上述上料站、第一缓冲站、量子点打印站、第一固化站、成膜站、保护层打印站、第二固化站、第二缓冲站和下料站中均设置抽真空设备和/或氮气供应设备。