[发明专利]量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统

权利要求书

1.一种量子点膜层的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在基材(10)上设置量子点膜(20)；以及

步骤S2，在所述量子点膜(20)上生长阻隔层(30)。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在真空条件下采用PECVD、PVD和/或ALD制备氧化铝层、氧化硅层或氮化硅层作为所述阻隔层(30)，优选采用电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法形成Al₂O₃层作为所述阻隔层(30)，更优选所述电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法的O₂流量为100～200sccm，三甲基铝流量为30～50sccm，压力为5～7E-3Torr，射频功率为1～3KW；进一步优选所述电感耦合式等离子体增强化学气相沉积过程分次进行，每次持续5～15s，重复5～15次。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步骤S1和所述步骤S2之间或者在所述步骤S2之后还包括在所述基材(10)的远离所述量子点膜(20)的表面上生长基体阻隔层(12)，优选所述基体阻隔层(12)的生长方法和所述步骤S2中所述阻隔层(30)的生长方法相同。

4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

在氮气气氛下，在所述基材(10)上打印或涂布量子点树脂，优选所述量子点树脂为含有量子点的UV固化树脂；

将所述量子点树脂进行固化，形成所述量子点膜(20)，优选所述固化采用UV照射固化，

更优选所述基材(10)为玻璃时，所述步骤S1在打印或涂布所述量子点树脂之前还包括对所述玻璃进行清洁处理的过程；

更优选所述基材(10)包括树脂基体(11)和设置在所述树脂基体(11)上的基体阻隔层(12)时，所述步骤S1在打印或涂布所述量子点树脂之前还包括在所述树脂基体(11)的表面上生长基体阻隔层(12)的过程，所述量子点膜(20)设置在所述基体阻隔层(12)上，优选所述生长基体阻隔层(12)的方法与所述步骤S2中生长阻隔层(30)的方法相同。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步骤S2之后还包括在所述阻隔层(30)上生长保护层(40)的步骤，优选所述生长保护层(40)的步骤包括：

在真空环境下或氮气气氛中打印或喷涂树脂，优选所述树脂为UV树脂；

将所述树脂固化形成所述保护层(40)，优选所述固化采用UV照射固化。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法实施过程中所述基材(10)固定在载台上，所述载台采用非接触式磁力进行驱动。

7.一种在线连续制作量子点膜层的系统，其特征在于，所述系统包括依次设置的量子点膜形成装置和阻隔层生长装置。

8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述阻隔层生长装置包括成膜站(5)，优选所述成膜站(5)内设置有PECVD设备、PVD设备和/或ALD设备。

9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述量子点膜形成装置包括依次设置的量子点打印站(3)和第一固化站(4)，所述第一固化站(4)设置在所述量子点打印站(3)的下游，所述成膜站(5)设置在所述第一固化站(4)的下游，优选所述第一固化站(4)为UV固化站。

10.根据权利要求9所述的系统，其特征在于，所述系统还包括设置在所述阻隔层生长装置下游的保护层形成装置，优选所述保护层形成装置包括依次设置的保护层打印站(6)和第二固化站(7)，所述第二固化站(7)设置在所述保护层打印站(6)的下游，更优选所述第二固化站(7)为UV固化站。