[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域的基底中形成阱区，所述阱区内具有第一掺杂离子；

在所述第二区域的基底中形成漂移区，所述漂移区内具有第二掺杂离子，且所述第二掺杂离子类型与所述第一掺杂离子类型不同；

图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部，所述鳍部的延伸方向平行于所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一鳍部，以及位于所述第二区域的第二鳍部，在与所述鳍部延伸方向相垂直的方向上，所述第二鳍部的宽度尺寸值大于所述第一鳍部的宽度尺寸值；其中，位于所述第一区域的第一鳍部为第一鳍部第一部分，位于所述第二区域的第一鳍部为第一鳍部第二部分；

形成位于所述第一区域和第二区域交界处的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一鳍部的部分顶部表面，以及所述第一鳍部第二部分的部分侧壁表面；

在所述栅极结构一侧的第一鳍部第一部分内形成源极，在所述栅极结构另一侧的第二鳍部内形成漏极，所述源极和漏极内具有第三掺杂离子，且所述第三掺杂离子与所述第二掺杂离子类型相同。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的鳍部的步骤包括：刻蚀所述基底，形成衬底以及凸出于所述衬底的初始鳍部，所述初始鳍部包括位于所述第一区域和第二区域交界处的第一初始鳍部，以及位于所述第二区域的第二初始鳍部；

在所述第二初始鳍部的侧壁上形成保护层；

形成所述保护层后，在所述初始鳍部之间的衬底上形成隔离结构；

形成所述隔离结构的过程对所述初始鳍部进行氧化处理；氧化后的第一初始鳍部为第一鳍部；覆盖有所述保护层的第二初始鳍部为第二鳍部。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅、氮氧化硅、富硅氧化硅或无定形硅。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为至

5.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二初始鳍部的侧壁上形成保护层后，在所述衬底上形成隔离结构之前，所述形成方法还包括：在所述第一初始鳍部的侧壁上形成牺牲层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层还覆盖于所述第二初始鳍部的顶部表面；

在所述衬底上形成隔离结构之前，形成所述牺牲层的步骤中，所述牺牲层覆盖所述第一区域衬底和第一初始鳍部，以及第二区域衬底和保护层。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅、富硅氧化硅或无定型硅。

8.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区域和第二区域为相邻区域；所述阱区和漂移区相接触，所述第一鳍部覆盖第一区域和第二区域交界处的部分阱区和部分漂移区。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底用于形成N型半导体结构，所述第一掺杂离子的类型为P型，所述第二掺杂离子和第三掺杂离子的类型为N型；

或者，所述基底用于形成P型半导体结构，所述第一掺杂离子的类型为N型，所述第二掺杂离子和第三掺杂离子的类型为P型。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构为伪栅结构。