[发明专利]半导体结构

说明书

在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路器件，更具体地，涉及半导体结构。

背景技术

近来，诸如交换器或整流器的功率电子器件的发展突显了功率器件的制造业。通常地，功率器件由III-V族材料制成。借助于半导体制造业，功率器件能够集成至集成电路中或芯片中。这样，功率器件具有更紧凑的尺寸和多功能性。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括：第一器件，具有第一表面，所述第一器件包括：由第一材料系统限定的第一有源区域；以及第二器件，具有第二表面，所述第二表面与所述第一表面共平面，所述第二器件包括：由第二材料系统限定的第二有源区域，其中，所述第二材料系统不同于所述第一材料系统。

本发明的另一实施例提供了一种半导体结构，包括：硅衬底，具有位于所述硅衬底中的有源区域；以及III-V族层，位于所述硅衬底上并且位于所述硅衬底的所述有源区域上方。

本发明的又一实施例提供了一种用于制造半导体结构的方法，包括：提供第一材料系统的衬底，所述衬底具有第一器件区域和第二器件区域；在所述第一器件区域中限定有源区域；在所述衬底上形成第二材料系统的层，所述第二材料系统不同于所述第一材料系统；以及在所述第一器件区域上方的所述层的部分中限定隔离区域。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构的图。

图2是根据本发明的一些实施例的半导体结构的图。

图3是根据本发明的一些实施例的半导体结构的截面。

图4是根据本发明的一些实施例的半导体结构的图。

图5A至图5G是根据本发明的一些实施例示出的制造半导体器件的方法的图。

图6是根据本发明的一些实施例示出的形成半导体结构的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体结构10的图。参照图1，半导体结构10包括第一器件11和第二器件12。第一器件11和第二器件12分别具有第一表面110和第二表面120。第一表面110与第二表面120共平面。

在一些实施例中，第一器件11是诸如晶体管、二极管、光电二极管、保险丝、电阻器、电容器等的Si有源器件。例如，晶体管包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管、双极结晶体管(BJT)、互补MOS(CMOS)晶体管等。此外，第一器件11可以包括逻辑器件、存储器器件(例如，静态随机存取存储器(SRAM))、射频(RF)器件、输入/输出(I/O)器件、芯片上系统(SoC)器件、其它合适的器件类型或它们的组合。