[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一器件，具有第一表面，所述第一器件包括：

由第一材料系统限定的第一有源区域；以及

第二器件，具有第二表面，所述第二表面与所述第一表面共平面，所述第二器件包括：

由第二材料系统限定的第二有源区域，其中，所述第二材料系统不同于所述第一材料系统；

其中，所述第一器件和所述第二器件还包括所述第二材料系统的层，所述第一器件包括位于所述第二材料系统的所述层中并且位于所述第一有源区域上方的隔离区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一材料系统包括Si，并且所述第二材料系统包括III-V族材料。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一器件和所述第二器件还包括衬底，所述衬底包括与所述第一器件相关联的第一器件区域和与所述第二器件相关联的第二器件区域；所述第一有源区域设置在所述第一器件区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一表面和所述第二表面是所述第二材料系统的所述层的顶面。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第二有源区域位于所述层中。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述隔离区域具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，以及所述第一有源区域具有第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中，所述隔离区域的第一侧和第二侧之间的第一距离大于所述第一有源区域的第一侧和第二侧之间的第二距离。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述第一距离和所述第二距离的差小于10μm。

8.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述层包括第一带隙层和位于所述第一带隙层上的第二带隙层，所述第二带隙层的带隙大于所述第一带隙层的带隙。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中，所述第一器件包括位于第一器件区域上方并且横跨所述第一带隙层和所述第二带隙层之间的界面的隔离区域。

10.根据权利要求4所述的半导体结构，还包括位于所述第二材料系统的所述层上的图案化的导电层，其中，所述第一器件还包括穿透所述层并且连接所述图案化的导电层和所述第一有源区域的互连件。

11.一种半导体结构，包括：

硅衬底，具有位于所述硅衬底中的有源区域；

III-V族层，位于所述硅衬底上并且位于所述硅衬底的所述有源区域上方，其中，所述III-V族层包括：

第一带隙层，位于所述硅衬底上；以及

第二带隙层，位于所述第一带隙层上，其中，所述第二带隙层的带隙大于所述第一带隙层的带隙；

隔离区域，横跨所述第一带隙层和所述第二带隙层之间的界面。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述隔离区域包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，以及所述有源区域包括第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中，所述隔离区域的第一侧和第二侧之间的距离大于所述有源区域的第一侧和第二侧之间的距离。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，包括：

图案化的导电层，位于所述III-V族层上；以及

互连件，穿透所述III-V族层并且连接所述图案化的导电层和所述有源区域。

14.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

提供第一材料系统的衬底，所述衬底具有第一器件区域和第二器件区域；

在所述第一器件区域中限定有源区域；

在所述衬底上形成第二材料系统的层，所述第二材料系统不同于所述第一材料系统；以及

在所述第一器件区域上方的所述层的部分中限定隔离区域。