[发明专利]具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法

说明书

具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法，本发明公开了一种半导体封装，包含一重布层中介层，具有一第一面、相对于第一面的一第二面，及延伸于第一面与第二面之间的一垂直侧壁；至少一半导体晶粒，设在重布层中介层的第一面上；一模塑料，设在第一面上，模塑料包覆半导体晶粒以及重布层中介层的垂直侧壁；以及多个焊锡凸块设在第二面上。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种具有侧壁保护(sidewall-protected)重布层中介层(RDL interposer)的晶圆级封装及其制造方法。

背景技术

半导体技术发展非常快，尤其在半导体芯片朝向微型化发展的趋势下，对于半导体芯片的功能则越要求更多样性。这也就是说，半导体芯片上势必会有更多的输出/输入(I/O)垫被挤在一个更小的区域，因此，半导体芯片上的接合垫密度迅速提高，导致半导体芯片的封装变得更加困难。

封装的主要目的在保护芯片的内部电路不会受外在因素(例如湿气或污染物)破坏。此外，芯片产生的热可以借由封装结构有效的逸散，使得芯片能正常运作。

如本领域中公知的，晶圆级封装(WLP)是在将晶粒切割分离之前先进行模封。晶圆级封装技术具有一定的优势，如更短的生产周期时间和较低的成本。扇出晶圆级封装(FOWLP)则是将半导体芯片的接触垫通过衬底上的重布层(RDL)再分配到一较大的面积上的封装技术。重布层通常形成在一衬底上，例如TSV中介层衬底。

重布层通常由额外的金属层及介电层所构成，其形成在晶圆表面，将芯片的I/O垫重新绕线成间距较宽松的布局图案。上述重分布通常利用薄膜聚合物，例如，苯并环丁烯(BCB)、聚亚酰胺(PI)或其它有机聚合物，以及金属化工艺，例如，铝金属或铜金属，如此将接合垫重绕线至一面积数组组态。

由于工艺繁复，TSV中介衬底通常成本较高，因此，使用TSV中介衬底的扇出晶圆级封装也会比较昂贵，并不利于特定的应用场合。

晶圆级封装工艺中，通常会在晶圆及安装在晶圆上的芯片表面覆盖一相对较厚的模塑料。此模塑料与集成电路基底的热膨胀系数(CTE)差异，容易导致封装翘曲或变形，也使得封装整体的厚度增加。晶圆翘曲(warpage)一直是该领域关注的问题。

晶圆翘曲使芯片与晶圆间的接合不易维持，使“芯片对晶圆接合”(chip towafer)的组装失败。翘曲问题在大尺寸晶圆上更是明显，特别是对于具有小间距重布层的晶圆级半导体封装工艺，此问题更为严重。因此，业界仍需要一个改良的晶圆级封装及方法，可以解决上述先前技术的问题。

发明内容

本发明主要目的在提供一种改良的导体封装及制造方法，可以减轻模封后翘曲现象，并且避免RDL中介层的破裂或脱层。

根据本发明一实施，提供一种半导体封装，包含一重布层(RDL)中介层，具有一第一面、相对于第一面的一第二面，及延伸于第一面与第二面之间的一垂直侧壁；至少一半导体晶粒，设在RDL中介层的第一面上；一模塑料，设在第一面上，模塑料包覆半导体晶粒以及RDL中介层的垂直侧壁；以及多个焊锡凸块设在第二面上。

根据本发明另一实施，提供一种制造半导体封装的方法。首先提供一载板；在载板上形成一重布层(RDL)中介层；在RDL中介层的一第一侧上安装至少一半导体晶粒；进行一切割工艺，形成至少一切割沟槽，贯穿RDL中介层，其中切割沟槽显露出RDL中介层的一垂直侧壁；以一模塑料模封第一侧上的半导体晶粒，其中模塑料填入切割沟槽，并覆盖RDL中介层的垂直侧壁；去除载板，显露出RDL中介层的一第二侧；以及在第二侧上形成多个焊锡凸块。

无庸置疑的，本领域的技术人员读完接下来本发明较佳实施例的详细描述与附图后，均可了解本发明的目的。

附图说明