[发明专利]具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包含：

一个重布层RDL中介层，具有第一面、与所述第一面相对的第二面，及延伸于所述第一面与所述第二面之间的垂直侧壁；

一个钝化层，位于所述RDL中介层的所述第一面上；

至少一个半导体晶粒，设在所述RDL中介层的所述第一面上，位于所述钝化层的上方，其中所述至少一个半导体晶粒的侧面与所述RDL中介层的所述垂直侧壁不是共面的；

一个模塑料，具有与所述至少一个半导体晶粒的所述侧面以及所述RDL中介层的所述垂直侧壁平行的垂直外部侧壁，所述模塑料与所述至少一个半导体晶粒的所述侧面以及所述RDL中介层的所述垂直侧壁的全部直接接触；以及

多个焊锡凸块或焊锡球设在所述第二面上并与所述RDL中介层电气接触。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述模塑料保留与所述RDL中介层的所述第一面相对的所述至少一个半导体晶粒的表面暴露。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述RDL中介层包含一个RDL，所述RDL包含至少一个介电层及至少一个金属层。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述至少一个介电层包含聚亚酰胺、氮化硅或氧化硅。

5.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述至少一个金属层包含铝、铜、钨、钛或氮化钛。

6.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述RDL中介层进一步包含设于所述RDL中介层的所述第二面上的另一个钝化层，且所述模塑料与所述另一个钝化层的侧面接触。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述模塑料具有一个表面，所述表面与所述另一个钝化层的一个表面齐平且面对所述RDL中介层。

8.根据权利要求6所述的半导体封装，其中在所述RDL中介层的所述第二面上设有一个防焊层，且所述防焊层的一个表面面对所述RDL中介层的所述第二面并与所述模塑料邻近接触。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体晶粒与所述RDL中介层通过延伸穿过所述钝化层中的开口的导电凸块电气连接。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述导电凸块包含铜或焊锡。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体晶粒包含绘图处理器GPU、中央处理器CPU或内存芯片中的至少一者。