[发明专利]一种提高砷化镓太阳能电池光电转换效率方法有效
| 申请号: | 201610649086.X | 申请日: | 2016-08-10 | 
| 公开(公告)号: | CN106129183B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 | 
| 发明(设计)人: | 花银群;叶云霞;陈瑞芳;李志宝;史志国;胡志会 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 | 
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236 | 
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| 地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 砷化镓 太阳能电池 光电 转换 效率 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种用飞秒激光在电池表面制备微纳米减反结构,从而提高太阳能电池的光电转换效率的方法。
背景技术
GaAs太阳能电池作为Ⅲ-Ⅴ族半导体电池中的代表,与硅太阳能电池相比,除了其具有较高的光电转换效率外,还具有较好的耐高温性能、较强抗辐射性能等。这些优异的性能使GaAs太阳能电池非常适合用作空间能源电池,但是由于目前的研制水平和工艺问题,使得GaAs太阳能电池的光电转换效率仍有很大的提升空间,而提高GaAs太阳能电池的光电转换效率的最主要的方法之一就是提高GaAs电池表面的抗反射性能。
Kyoung Seok Cho,P.Mandal等利用低成本的激光光刻技术制备出GaAs电池表面的一维与二维微纳米结构,并有效的提高了电池的光电转换效率。F.C.Marques利用溶液喷涂法将SnCl4喷涂在硅太阳能电池表面形成金字塔结构。而Yangsen Kang的团队则采用ECR等离子体刻蚀、湿法化学蚀刻与金属有机化合物化学气相沉淀法(MOCVD)在预先制备好图案的GaAs太阳能电池模版上成功制作出规则的纳米锥列阵,这几种方法虽然可以实现光电转换效率的提高,但还没达到预期效果。如激光光刻技术容易造成电池表面损伤,且效率较低;至于化学方法制备微结构则容易造成污染,且GaAs的高稳定性使得生成的形貌不易控制。
发明内容
本发明的目的是提供基于飞秒激光的砷化镓太阳能电池减反结构及制备方法。
为了实现上述目的,本发明的技术方案是:
利用飞秒激光,在不同的环境介质中,辐照GaAs电池表面,通过选择相应的激光单脉冲能量,在GaAs电池表面得到不同的微纳米减反结构,从而降低GaAs电池表面的反射率,提高GaAs电池的光电转换效率。
进一步地,所述不同的环境介质中为空气、乙醇或水,优选的顺序为水、乙醇、空气;飞秒激光器的脉宽为120fs,中心波长700nm,频率为1KHz;激光加工参数为扫描速率为2.2mm/s,扫描间距为30μm。
进一步地,在水中,当激光单脉冲能量为15μJ时,制得的微纳米结构为圆锥结构,圆锥的底面直径大小为1μm,该结构在300-2000nm波段能够将电池表面的反射率由原来的平均为22.5%降低到3%。
进一步地,在乙醇中,当激光单脉冲能量为15μJ时,制得的微纳米结构为波浪状微结构,该结构在300-1000nm波段能够将电池表面的反射率由原来的平均为22.5%降低到17.3%。
进一步地,在空气中,当激光单脉冲能量为30μJ时,制备的微纳米结构为一维矩形光栅结构,该结构在300-1000nm波段能够将电池表面的反射率由原来的平均为33%降低到23.6%。
本方法采用放大级钛蓝宝石飞秒激光系统(Legend Elite-1K-HE,Coherent,America)照射未加减反射层GaAs电池表面(The 18th Research Institute of China Electronic Technology Group Co.,Ltd.,China);实验装置如图1所示,脉冲功率可以通过使用一个半波片和格兰泰勒棱镜的组合装置来不断地调整;激光线偏振的方向和波长分别通过格兰泰勒棱镜和光学参量放大器进行变换;激光束由50mm焦距的平凸透镜进行聚焦;电池薄片安装在由高精度计算机控制的线性移动平台上,可以通过改变水平移动平台在X方向上的移动速度来获得一系列不同的光斑搭接率。
本发明具有如下优点:
1.加工损伤小。飞秒超短脉冲激光脉冲持续时间短,能量在极小时间和空间内完成与物质的相互作用。从加工开始至结束,热量来不及扩散,能量仅积累在材料微小区域的薄层内。加工完成后,损伤区域周围的材料仍处于“冷”状态,对电池薄片的损伤较小。
2.加工精度高。飞秒激光能量在空间和时间上都呈现高斯型或类高斯型分布。这可以使得只有聚焦光斑中心部位的强度可达到材料的加工阈值,此时加工中的能量吸收与作用范围被限制于焦点中心处很小体积内,加工尺度远小于光斑尺寸,达到亚微米级甚至纳米级。
3.制备方法工艺优越。采用本发明方法,不需要其他的辅助工序,就能获得周期性的微纳米结构,且减反效果非常明显。
附图说明
图1为飞秒激光加工方法的光路图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





