[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一鳍部和第二鳍部，第一鳍部具有第一宽度，第二鳍部具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；

在半导体衬底上形成覆盖第一鳍部侧壁和第二鳍部侧壁的第一隔离膜；

在所述第一隔离膜中形成凹槽，所述凹槽位于第二鳍部一侧，所述凹槽和第二鳍部之间的第一隔离膜形成控制层；

采用流体化学气相沉积工艺在所述凹槽中形成第二隔离膜，所述流体化学气相沉积工艺包括含氧退火，所述含氧退火适于氧化第二鳍部的侧壁，从而形成副产层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述含氧退火为水汽退火。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述流体化学气相沉积工艺包括：在所述凹槽中形成隔离流体层；进行水汽退火，使所述隔离流体层形成第二隔离膜。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述水汽退火的参数包括：采用的气体包括氧气、臭氧和气态水，退火温度为350摄氏度～750摄氏度。

5.根据权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述流体化学气相沉积工艺还包括：进行水汽退火后，对所述第二隔离膜进行致密化退火处理。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述致密化退火处理的参数包括：采用的气体包括氮气，退火温度为850摄氏度～1050摄氏度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述控制层沿垂直于第二鳍部侧壁方向上的尺寸为5埃～50埃。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二隔离膜的材料为氧化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一隔离膜的材料为氧化硅、氮氧化硅或者碳氧化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一鳍部和第二鳍部的顶部表面具有第一掩膜层；所述第一隔离膜还覆盖所述第一掩膜层的侧壁。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底包括逻辑器件区和核心器件区，逻辑器件区的半导体衬底上具有第三鳍部；所述第一鳍部和第二鳍部位于核心器件区的半导体衬底上；所述第三鳍部包括第三待去除鳍部和第三待保留鳍部；所述第一隔离膜还覆盖第三鳍部；所述半导体器件的形成方法还包括：形成第一隔离膜后，去除第三待去除鳍部。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第三待去除鳍部的方法包括：

在所述第一隔离膜上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有第一开口，第一开口下方具有第三待去除鳍部；

以所述第二掩膜层为掩膜，沿着第一开口刻蚀去除第三待去除鳍部和第三待去除鳍部周围的部分第一隔离膜；去除第二掩膜层。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层中还具有第二开口，第二开口暴露出相邻第二鳍部之间的部分第一隔离膜；

所述半导体器件的形成方法还包括：以所述第二掩膜层为掩膜，沿着第二开口刻蚀去除部分第一隔离膜，形成凹槽。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，第一开口和第二开口的尺寸相同。

15.根据权利要求14所述的半导体器件的形成方法，形成第一开口的方法包括第一曝光；形成第二开口的方法包括第二曝光；第一曝光和第二曝光采用相同的掩膜版。