[发明专利]集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

一静态随机存取存储器阵列，包括一第一子阵列以及一第二子阵列，上述第一子阵列包括具有一第一多行以及多列的静态随机存取存储器单元，上述第二子阵列包括具有一第二多行以及上述列的上述静态随机存取存储器单元，以及上述静态随机存取存储器阵列中的每个上述静态随机存取存储器单元包括：

一第一上拉金氧半导体装置以及一第二上拉金氧半导体装置；

一第一下拉金氧半导体装置以及一第二下拉金氧半导体装置，与上述第一上拉金氧半导体装置以及上述第二上拉金氧半导体装置形成多交叉栓锁反相器；以及

一第一沟道栅极金属氧化物半导体装置以及一第二沟道栅极金属氧化物半导体装置，连接至上述交叉栓锁反相器；

一第一位元线以及一第一互补位元线，连接至上述第一子阵列的一行中的上述静态随机存取存储器单元的上述第一沟道栅极金属氧化物半导体装置以及上述第二沟道栅极金属氧化物半导体装置；

一第二位元线以及一第二互补位元线，连接至上述第二子阵列的一列中的上述静态随机存取存储器单元的上述第一沟道栅极金属氧化物半导体装置以及上述第二沟道栅极金属氧化物半导体装置，其中上述第一位元线以及上述第一互补位元线是与上述第二位元线以及上述第二互补位元线为断开；

一感测放大器电路，电性耦接至上述第一位元线、上述第一互补位元线、上述第二位元线以及上述第二互补位元线，并用以感测上述第一位元线、上述第一互补位元线、上述第二位元线以及上述第二互补位元线；以及

一第一桥接金属层导线以及一第二桥接金属层导线，分别连接至上述第一位元线以及上述第一互补位元线，其中上述第一桥接金属层导线以及上述第二桥接金属层导线于未连接至上述第二子阵列中的上述静态随机存取存储器单元的情况下跨越上述第二子阵列。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括一多工器，上述多工器包括分别连接至上述第一位元线、上述第一互补位元线、上述第二位元线以及上述第二互补位元线的一第一输入节点、一第二输入节点、一第三输入节点以及一第四输入节点。

3.如权利要求2所述的集成电路结构，其中上述多工器还包括：

一第一输出节点以及一第二输出节点，其中上述多工器用以将上述第一位元线以及上述第一互补位元线的信号发送至上述第一输出节点以及上述第二输出节点，或者于上述第二位元线以及上述第二互补位元线发送信号至上述第一输出节点以及上述第二输出节点。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其中上述第一桥接金属层导线以及上述第二桥接金属层导线是位于一金属层中，上述金属层是高于上述第一位元线以及上述第一互补位元线的一金属层。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

一跳线结构，位于上述第一子阵列以及上述第二子阵列之间，其中上述跳线结构中并不具有上述静态随机存取存储器单元；以及

多连接模组，位于上述跳线结构中，其中上述连接模组分别将上述第一桥接金属层导线以及上述第二桥接金属层导线连接至上述第一位元线以及上述第一互补位元线。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

一第一字元线，延伸于上述第一子阵列的一列中，其中上述第一字元线是位于一第一金属层中，并电性耦接至上述列中的上述静态随机存取存储器单元；以及

一第二字元线，延伸于上述第一子阵列的上述列中，并位于高于上述第一金属层的一第二金属层中，其中上述第一字元线以及上述第二字元线互连。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，还包括：

一第一核心电源电压供应线，连接至位于上述第一子阵列中以及上述第一子阵列中的上述一列中的多第一静态随机存取存储器单元；以及

一第二核心电源电压供应线，连接至位于上述第二子阵列中以及上述第二子阵列的上述一列中的多第二静态随机存取存储器单元，其中上述第一核心电源电压供应线是与上述第二核心电源电压供应线断开。