[发明专利]探测面板及探测装置

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种探测面板及探测装置。

背景技术

X射线因为光子能量高、穿透力强的特点，已经广泛应用于人们的生活中，比如X射线在医学领域用于透视检查，在工业中用来探伤，在地铁、机场、车站等场合用于安检。

目前市场上销售的X射线探测装置通常包括闪烁体层、设置于闪烁体层出光侧的探测器以及配套的电路。闪烁体层用于将X射线转化为光，探测器用于将该闪烁体层输出的光转化为电信号，之后电路将该电信号进行处理后输出至显示器，以形成被测物体的图像。

发明内容

本发明的实施例提供一种探测面板及探测装置，以降低探测面板的制作成本。

本发明的至少一个实施例提供一种探测面板，其包括：碘化铯闪烁体层，其未掺杂铊；以及光电探测器，其设置于所述碘化铯闪烁体层的出光侧并且包括半导体层，所述半导体层的材料的禁带宽度大于或等于2.3eV。

例如，所述碘化铯闪烁体层的形成材料为纯碘化铯闪烁体或者掺钠碘化铯闪烁体。

例如，所述半导体层的材料包括氧化锌半导体。

例如，在所述半导体层的材料包括氧化锌半导体的情况下，所述碘化铯闪烁体层的形成材料为纯碘化铯闪烁体。

例如，所述氧化锌半导体为n型掺杂氧化锌半导体，并且掺杂有B、Al、Ga、In、Sc、Y、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、V、Nb、Mo、F、Cl中的一种或几种。

例如，所述氧化锌半导体为p型掺杂氧化锌半导体，并且掺杂有Li、Na、K、Au、Ag、Cu、N、P、As、Sb中的一种或几种。

例如，所述半导体层的材料包括氮氧化锌半导体，或氮化镓半导体，或碳化硅半导体，或金刚石半导体，或类金刚石半导体，或氮化铝半导体，或砷化镓半导体，或氮化硼半导体。

例如，所述光电探测器为光电导探测器或光伏探测器。

例如，所述碘化铯闪烁体层的厚度为1微米至2000微米。

例如，所述碘化铯闪烁体层包括多个呈阵列排列的碘化铯柱状晶体。

例如，每个碘化铯柱状晶体的直径为0.1微米至100微米。

例如，所述探测面板还包括薄膜晶体管开关阵列，其设置于所述光电探测器的远离所述碘化铯闪烁体层的一侧。

例如，所述探测面板为X射线探测面板。

本发明的至少一个实施例还提供一种探测装置，其包括以上任一项所述的探测面板。

本发明实施例提供的探测面板和探测装置，通过将不掺杂铊元素(Tl)的碘化铯闪烁体层和采用宽禁带半导体的光电探测器结合在一起，避开了剧毒的铊及其化合物碘化铊，可以使探测面板的制造成本大大降低，对环境和人友好无毒，并且可以有效地探测碘化铯闪烁体层输出的近紫外光。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1为一种X射线探测面板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的探测面板的结构示意图；

图3为CsI(纯)、CsI(Na)以及CsI(Tl)的X射线光致发光谱；

图4a为本发明实施例提供的一种异面型光电导探测器的结构示意图；

图4b为本发明实施例提供的一种共面型光电导探测器的结构示意图；

图4c为本发明实施例提供的一种p-i-n型光伏探测器的结构示意图；

图4d为本发明实施例提供的一种p-n型光伏探测器的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。