[发明专利]探测面板及探测装置

权利要求书

1.一种探测面板，包括：

碘化铯闪烁体层，其未掺杂铊；以及

光电探测器，其设置于所述碘化铯闪烁体层的出光侧并且包括半导体层，其中，所述半导体层的材料的禁带宽度大于或等于2.3eV。

2.根据权利要求1所述的探测面板，其中，所述碘化铯闪烁体层的形成材料为纯碘化铯闪烁体或者掺钠碘化铯闪烁体。

3.根据权利要求1所述的探测面板，其中，所述半导体层的材料包括氧化锌半导体。

4.根据权利要求3所述的探测面板，其中，所述碘化铯闪烁体层的形成材料为纯碘化铯闪烁体。

5.根据权利要求3或4所述的探测面板，其中，所述氧化锌半导体为n型掺杂氧化锌半导体，并且掺杂有B、Al、Ga、In、Sc、Y、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、V、Nb、Mo、F、Cl中的一种或几种。

6.根据权利要求3或4所述的探测面板，其中，所述氧化锌半导体为p型掺杂氧化锌半导体，并且掺杂有Li、Na、K、Au、Ag、Cu、N、P、As、Sb中的一种或几种。

7.根据权利要求1或2所述的探测面板，其中，所述半导体层的材料包括氮氧化锌半导体，或氮化镓半导体，或碳化硅半导体，或金刚石半导体，或类金刚石半导体，或氮化铝半导体，或砷化镓半导体，或氮化硼半导体。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的探测面板，其中，所述光电探测器为光电导探测器或光伏探测器。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的探测面板，其中，所述碘化铯闪烁体层的厚度为1微米至2000微米。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的探测面板，其中，所述碘化铯闪烁体层包括多个呈阵列排列的碘化铯柱状晶体。

11.根据权利要求10所述的探测面板，其中，每个碘化铯柱状晶体的直径为0.1微米至100微米。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的探测面板，其中，所述探测面板还包括薄膜晶体管开关阵列，其设置于所述光电探测器的远离所述碘化铯闪烁体层的一侧。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的探测面板，其中，所述探测面板为X射线探测面板。

14.一种探测装置，包括权利要求1-13中任一项所述的探测面板。